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我國太陽能光伏裝機容量今年底有望增長一倍
到今年底，中國的太陽能光伏裝機容量有望較去年同期增逾一倍。預(yù)計今年新增裝機容量可能會達到150兆瓦，風(fēng)電總裝機容量將提高至約1.5億千瓦，太陽能光伏的發(fā)展目標為總裝機容量2,000萬千瓦。
2009-11-26
太陽能光伏 裝機容量 增長
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GS湯淺將新建鋰電池工廠并“計劃2012年春季正式投產(chǎn)”
日本GS湯淺（GS Yuasa）宣布，將在滋賀縣栗東市建設(shè)鋰離子充電電池工廠。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開始交涉。該公司公關(guān)部介紹說，計劃2010年10月開工建設(shè)，“2012年春季正式投產(chǎn)”。
2009-11-26
GS湯淺 鋰電池工廠 正式投產(chǎn) 2012
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三年后我國半導(dǎo)體市場全球最牛 將趕超美國
畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示：“中國作為終端用戶市場，將變得越來越重要?！彼硎荆瑐鹘y(tǒng)上中國是制造業(yè)大國，不是消費大國，但他預(yù)計，三年后中國市場將高出美國市場近1倍。
2009-11-26
畢馬威 半導(dǎo)體市場 全球最牛 趕超美國
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群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過三合一合并方案
據(jù)臺灣媒體報道，全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱，該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開臨時董事會，通過三合一合并案。三家公司預(yù)計明年元月6日召開股東臨時會通過合并案，三合一合并基準日為明年4月30日。
2009-11-26
群創(chuàng) 奇美 統(tǒng)寶 合并方案
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IMEC開發(fā)的硅納米線太陽能電池使轉(zhuǎn)換效率達30％以上
在太陽能電池領(lǐng)域，瞄準下下代太陽能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細線狀的硅（硅納米線）。包括美國通用電氣（General Electric）在內(nèi)，目前世界各地都在進行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽能電池 硅納米線 EUV曝光
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最先進液晶面板線項目啟動 投資逾200億
總投資達二百四十五億元的深圳市第八點五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線項目，十六日在深圳高交會上宣布正式啟動，標志著中國主要依靠自主創(chuàng)新建設(shè)、中國內(nèi)地迄今最高世代液晶面板生產(chǎn)線項目落戶深圳。
2009-11-25
液晶面板線 最先進 TFT-LCD
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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中國電子報：今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點
近日，企業(yè)第三季度財報紛紛出籠，產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢進一步明朗化。但由于企業(yè)上升動力不足，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大，應(yīng)該會在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點 中國電子報
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Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差...
2009-11-25
Vishay 擴展 可靠性 貼片電阻 范圍
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