【導(dǎo)讀】在上一篇文章“100條估計(jì)信號(hào)完整性效應(yīng)的經(jīng)驗(yàn)法則（一）”中，我們介紹了50條估計(jì)信號(hào)完整性效應(yīng)的經(jīng)驗(yàn)法則。本文中，我們將介紹剩下的50條估計(jì)信號(hào)完整性效應(yīng)的經(jīng)驗(yàn)法則。
估計(jì)信號(hào)完整性效應(yīng)的經(jīng)驗(yàn)法則（51-100）：
51、遠(yuǎn)端容性負(fù)載會(huì)增加信號(hào)的上升時(shí)間。10-90%上升時(shí)間約是（100*C）PS，其中C的單位是pF。
52、如果突變的電容小于0.004*產(chǎn)生較多的反射噪聲RT，則可能不會(huì)產(chǎn)生問題。
53、50歐姆傳輸線中拐角的電容（pF）是線寬（MIL）的2倍。
54、容性突變會(huì)使50%點(diǎn)的時(shí)延約增加0.5*Z0*C。
55、如果突變的電感（nH）小于上升時(shí)間（ns）的10倍，則不會(huì)產(chǎn)生問題。
56、對(duì)上升時(shí)間少于1ns的信號(hào)，回路電感約為10nH的軸向引腳電阻可能會(huì)產(chǎn)生較多的反射噪聲，這時(shí)可換成片式電阻。
57、在50歐姆系統(tǒng)中，需要用4pF電容來補(bǔ)償10nH的電感。
58、1GHz時(shí)，1盎司銅線的電阻約是其在DC狀態(tài)下電阻的15倍。
59、1GHz時(shí)，8mil寬的傳輸線的電阻產(chǎn)生的衰減與介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減相當(dāng)，并且介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減隨著頻率變化得更快。
60、對(duì)于3mil或更寬的傳輸線而言，低損耗狀態(tài)全是發(fā)生在10MHz頻率以上。在低損耗狀態(tài)時(shí)，特性阻抗以及信號(hào)速度與損耗和頻率無關(guān)。在常見的級(jí)互連中，不存在由損耗引起的色散現(xiàn)象。
61、-3dB衰減相當(dāng)于初始信號(hào)功率減小到50%，初始電壓幅度減小到70%。
62、-20dB衰減相當(dāng)于初始信號(hào)功率減小到1%，初始電壓幅度減小到10%。
63、當(dāng)處于趨膚效應(yīng)狀態(tài)時(shí)，信號(hào)路徑與返回路徑的單位長度串聯(lián)約是（8/W）*sqrt（F）（其中線寬W：mil、頻率F：GHz）。
64、50歐姆的傳輸線中，由導(dǎo)體產(chǎn)生的單位長度衰減約是36/（WZ0）dB/inch。
65、FR4的耗散因子約是0.02。
66、1GHz時(shí)，F(xiàn)R4中由介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減約是0.1dB/inch，并隨頻率線性增加。
67、對(duì)于FR4中的8mil寬、50歐姆傳輸線，在1GHz時(shí)，其導(dǎo)體損耗與介質(zhì)材料損耗相等。
68、受損耗因子的制約，F(xiàn)R4互連線（其長是LEN）的帶寬約是30GHz/Len。
69、FR4互連線可以傳播的最短時(shí)間是10ps/inch*Len。
70、如果互連線長度（inch）大于上升時(shí)間（ns）的50倍，則FR4介質(zhì)板中由損耗引起的上升邊退化是不可忽視的。
71、一對(duì)50歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時(shí)，信號(hào)線間的耦合電容約占5%。
72、一對(duì)50歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時(shí)，信號(hào)線間的耦合電感約占15%。
73、對(duì)于1ns的上升時(shí)間，F(xiàn)R4中近端噪聲的飽和長度是6inch，它與上升時(shí)間成比例。
74、一跟線的負(fù)載電容是一個(gè)常數(shù)，與附近其他線的接近程度無關(guān)。
75、對(duì)于50歐姆微帶線，線間距與線寬相等時(shí)，近端串?dāng)_約為5%。
76、對(duì)于50歐姆微帶線，線間距是線寬的2倍時(shí)，近端串?dāng)_約為2%。
77、對(duì)于50歐姆微帶線，線間距是線寬的3倍時(shí)，近端串?dāng)_約為1%。
78、對(duì)于50歐姆帶狀線，線間距與線寬相等時(shí)，近端串?dāng)_約為6%。
79、對(duì)于50歐姆帶狀線，線間距是線寬的2倍時(shí)，近端串?dāng)_約為2%。
80、對(duì)于50歐姆帶狀線，線間距是線寬的3倍時(shí)，近端串?dāng)_約為0.5%。
81、一對(duì)50歐姆微帶傳輸線中，間距與線寬相等時(shí)，遠(yuǎn)端噪聲是4%*TD/RT。如果線時(shí)延是1ns，上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠(yuǎn)端噪聲是8%。
82、一對(duì)50歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的2倍時(shí)，遠(yuǎn)端噪聲是2%*TD/RT。如果線時(shí)延是1ns，上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠(yuǎn)端噪聲是4%。
83、一對(duì)50歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的3倍時(shí)，遠(yuǎn)端噪聲是1.5%*TD/RT。如果線時(shí)延是1ns，上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠(yuǎn)端噪聲是4%。
84、帶狀線或者完全嵌入式微帶線上沒有遠(yuǎn)端噪聲。
85、在50歐姆總線中，不管是帶狀線還是微帶線，要使最懷情況下的遠(yuǎn)端噪聲低于5%，就必須保持線間距大于線寬的2倍。
86、在50歐姆總線中，線間距離等于線寬時(shí)，受害線上75%的竄擾來源于受害線兩邊鄰近的那兩跟線。
87、在50歐姆總線中，線間距離等于線寬時(shí)，受害線上95%的竄擾來源于受害線兩邊距離最近的每邊各兩根線條。
88、在50歐姆總線中，線間距離是線寬的2倍時(shí)，受害線上100%的竄擾來源于受害線兩邊鄰近的那兩根線條。這是忽略與總線中其他所有線條間的耦合。
89、對(duì)于表面布線，加大相鄰信號(hào)線間的距離使之足以添加一個(gè)防護(hù)布線，串?dāng)_常常就會(huì)減小到一個(gè)可以接受的水平，而且這時(shí)沒必要增加防護(hù)布線。添加終端短接的防護(hù)布線可將串?dāng)_減小到50%。
90、對(duì)于帶狀線，使用防護(hù)線可以使串?dāng)_減小到不用防護(hù)線時(shí)的10%。
91、為了保持開關(guān)噪聲在可以接受的水平，必須使互感小于2.5nH*上升時(shí)間（ns）。
92、對(duì)于受開關(guān)噪聲限制的接插件或者封裝來說，最大可用的時(shí)鐘頻率是250MHz/（N*Lm）。其中，Lm是信號(hào)/返回路徑對(duì)之間的互感（nH），N是同時(shí)開關(guān)線的數(shù)量。
93、在LVDS信號(hào)中，共模信號(hào)分量是差分信號(hào)分量達(dá)2倍以上。
94、如果之間沒有耦合，差分對(duì)的差分阻抗是其中任意一個(gè)單端線阻抗的2倍。
95、一對(duì)50歐姆微帶線，只要其中一跟線的電壓維持在高或低不變，則另一跟線的單端特性阻抗就與鄰近線的距離完全無關(guān)。
96、在緊耦合差分微帶線中，與線寬等于線間距時(shí)的耦合相比，線條離得很遠(yuǎn)而沒有耦合時(shí)，差分特性阻抗僅會(huì)降低10%左右。
97、對(duì)于寬邊耦合差分對(duì)，線條間的距離應(yīng)至少比線寬大，這么做的目的是為了獲得可高達(dá)100歐姆的差分阻抗。
98、FCC的B級(jí)要求是，在100MHz時(shí)，3M遠(yuǎn)處的遠(yuǎn)場強(qiáng)度要小于150μV/M。
99、鄰近的單端攻擊次線在強(qiáng)耦合差分對(duì)上產(chǎn)生的差分信號(hào)串?dāng)_比弱耦合差分對(duì)上的少30%。
100、鄰近的單端攻擊次線在強(qiáng)耦合差分對(duì)上產(chǎn)生的共模信號(hào)串?dāng)_比弱耦合差分對(duì)上的多30%。
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