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芯和半導(dǎo)體發(fā)布基于微軟Azure的EDA云平臺(tái)
2021年8月**日，中國(guó)上海訊——國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，芯和半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯和半導(dǎo)體”）在美國(guó)圣何塞舉行的2021年DesignCon大會(huì)上，正式發(fā)布其基于微軟Azure的EDA云平臺(tái)。
2021-08-30
芯和半導(dǎo)體 Azure EDA云平臺(tái)
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什么樣的PCB才能承受住100 A的電流？
通常的PCB設(shè)計(jì)電流都不會(huì)超過(guò)10 A，甚至5 A。尤其是在家用、消費(fèi)級(jí)電子中，通常PCB上持續(xù)的工作電流不會(huì)超過(guò)2 A。但是最近要給公司的產(chǎn)品設(shè)計(jì)動(dòng)力走線(xiàn)，持續(xù)電流能達(dá)到80 A左右，考慮瞬時(shí)電流以及為整個(gè)系統(tǒng)留下余量，動(dòng)力走線(xiàn)的持續(xù)電流應(yīng)該能夠承受100 A以上。
2021-08-25
PCB 電流
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聊聊汽車(chē)級(jí)光伏驅(qū)動(dòng)器和分立MOSFET
工程師已經(jīng)研究和開(kāi)發(fā)了可以代替機(jī)械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機(jī)械繼電器相比，這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性，更快的切換時(shí)間，沒(méi)有切換彈跳以及更小的尺寸。但是隨著這些優(yōu)點(diǎn)的出現(xiàn)，帶來(lái)了使設(shè)計(jì)人員和用戶(hù)不愿使用固態(tài)繼電器的缺點(diǎn)。
2021-08-25
汽車(chē)級(jí)光伏驅(qū)動(dòng)器 分立MOSFET
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康普觀點(diǎn)：體育場(chǎng)館穩(wěn)步恢復(fù)，5G賦能更佳觀賽體驗(yàn)
隨著全球大部分地區(qū)的封鎖限制日漸放寬，人們的日常生活也在逐步地回歸往昔。疫情影響下，許多大型集會(huì)被迫暫停，其中最令人懷念的就是在現(xiàn)場(chǎng)觀看緊張刺激的體育比賽?，F(xiàn)下，多地的賽事組織者和協(xié)會(huì)正籌劃重啟大型體育賽事，屆時(shí)將會(huì)吸引到大量觀眾的參與。在觀看包括奧運(yùn)會(huì)、足球等賽事時(shí)，越來(lái)越...
2021-08-24
康普 5G 觀賽體驗(yàn)
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會(huì)碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時(shí)為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來(lái)描述具體的失效率，這就需要用專(zhuān)業(yè)的術(shù)語(yǔ)來(lái)溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實(shí)這兩個(gè)概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡(jiǎn)析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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康普觀點(diǎn)：構(gòu)建合適的 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要
數(shù)字化一直是推動(dòng)著后疫情時(shí)期許多機(jī)構(gòu)反彈回升的關(guān)鍵使能因素，在推動(dòng)復(fù)蘇的進(jìn)程中，最具變革性的可能要屬互聯(lián)設(shè)備的指數(shù)級(jí)采用。亞太地區(qū)在此趨勢(shì)中居于領(lǐng)先，據(jù)行業(yè)報(bào)告預(yù)測(cè)，到 2026 年，區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場(chǎng)將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，達(dá)到 4,370 億美元。然而，當(dāng)前的 Wi-Fi 連接標(biāo)準(zhǔn)可能無(wú)法提供足夠...
2021-08-19
康普 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施
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IOTE 2021第十六屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站
IOTE 2021第十六屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個(gè)關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運(yùn)算與平臺(tái)層、應(yīng)用層，涉及RFID（無(wú)線(xiàn)射頻識(shí)別）技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費(fèi)移動(dòng)支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計(jì)算、邊緣計(jì)算、實(shí)時(shí)定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...
2021-08-17
國(guó)際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居 智能電網(wǎng) AIoT
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)、SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類(lèi)雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。
2021-08-16
大功率晶閘管 正向特性
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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