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采用MEMS技術(shù)制備的全硅法珀傳感器
近年來，微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力，將其與光纖結(jié)合為高靈敏度壓力測量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩(wěn)定等特點。
2022-09-26
MEMS技術(shù) 全硅法珀傳感器
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如果把開關(guān)電源的頻率無限提升..........
估計很多新手工程師在設計開關(guān)電源計算變壓器時發(fā)現(xiàn)，把電源的開關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開關(guān)頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。
2022-09-26
開關(guān)電源 頻率
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術(shù)實現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設計并在不同應用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對應的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的電力電子設備中，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。因此，實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封裝 MOSFET 源極管腳
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設備，ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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電源應用問題之應用環(huán)境分析
本文簡述開關(guān)電源常見的應用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對電源產(chǎn)品的主要影響機理，推薦與應用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品，提升電源在不同應用環(huán)境中的可靠性。
2022-09-14
開關(guān)電源 應用環(huán)境 金升陽
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應用中的優(yōu)勢
瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能、充電樁等領(lǐng)域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
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瑞能半導體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導體高管峰會（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅(qū)動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機遇和前景，重點結(jié)合了最...
2022-09-08
瑞能半導體 碳化硅 MOSFET
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二極管的損耗與波形系數(shù)
整流電路AC/DC變換應用非常廣泛，比DC/AC 逆變器功率范圍更廣，數(shù)量更多。為了降低諧波電流，有源PFC應用越來越廣泛，但二極管整流在電機驅(qū)動中還是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設計非常重要。
2022-09-08
二極管 損耗 波形系數(shù)
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