-
功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
電流額定值相關(guān)的溫度可能與實(shí)際工作條件有關(guān),也可能無(wú)關(guān)。如果有關(guān),電流額定值可用于指示實(shí)際應(yīng)用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環(huán)境(如25oC)不會(huì)遇到的溫度時(shí)得出的值,它就無(wú)法提供應(yīng)用中實(shí)際器件能力的信息。該值只能用來(lái)比較相似器件在相同溫度時(shí)的電流額定值
2022-02-14
功率半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)
-
一文弄懂IGBT驅(qū)動(dòng)
要了解什么是IGBT驅(qū)動(dòng),首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2022-02-11
IGBT驅(qū)動(dòng)
-
針對(duì)負(fù)電壓浪涌的對(duì)策及其效果
繼上一篇“正電壓浪涌對(duì)策”之后,本文將會(huì)通過(guò)示例來(lái)看針對(duì)負(fù)電壓浪涌的對(duì)策及其效果。
2022-02-11
負(fù)電壓浪涌 對(duì)策
-
派恩杰SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)新探索:如何避免誤開(kāi)通?
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降,SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)正逐漸普及,獲得越來(lái)越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件,SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻,更快的開(kāi)關(guān)速度,使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化,因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 誤開(kāi)通
-
如何精確監(jiān)測(cè)和控制工業(yè)應(yīng)用中的氣體流量
許多工業(yè)自動(dòng)化 (IA) 和制造設(shè)施在各種工藝和應(yīng)用中經(jīng)常需要使用空氣、氧氣、氮?dú)狻錃?、氦氣和氬氣等氣體。具體用途包括清潔、切割、焊接和化學(xué)品制造。在許多情況下,精密設(shè)備和化學(xué)工藝需要對(duì)氣體進(jìn)行極其精細(xì)的控制,以避免造成難以診斷的設(shè)備故障或過(guò)程失敗。此外,過(guò)量的氣體流量會(huì)導(dǎo)致效率...
2022-02-09
精確監(jiān)測(cè) 控制工業(yè)應(yīng)用 氣體流量
-
將ICT和FCT優(yōu)勢(shì)結(jié)合在單個(gè)測(cè)試適配器中
一般以針床來(lái)測(cè)試不上電的電路板,使用直接數(shù)字合成(DDS)和離散傅立葉變換(DFT)等技術(shù)生成刺激信號(hào)進(jìn)行模擬測(cè)量分析,以此讓在線測(cè)試儀(ICA)測(cè)量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù),以便確認(rèn)所有被測(cè)器件(DUT)測(cè)試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi),以及是否有開(kāi)路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問(wèn)題。這...
2022-02-09
ICT和FCT 測(cè)試 適配器
-
如何利用TI Designs來(lái)驗(yàn)證和加快設(shè)計(jì)過(guò)程
如果處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運(yùn)行,并且不需要排序和控制等特殊功能的話,會(huì)不會(huì)變的很簡(jiǎn)單呢?不幸的是,大多數(shù)處理器和FPGA需要不同的電源電壓,啟動(dòng)/關(guān)斷序列和不同類(lèi)型的控制。
2022-02-08
TI Designs 處理器 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列FPGA
-
如何控制原邊振鈴
反激電源是最常用的拓?fù)渲?。其變壓器漏感常?huì)引起原邊振鈴,并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此,通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計(jì)來(lái)控制振鈴非常重要。針對(duì)如何降低漏感,MPS 引入了一種 RCD 鉗位電路設(shè)計(jì)策略,下面我們將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)地描述。
2022-02-07
控制 原邊 振鈴
-
發(fā)揮系統(tǒng)支撐作用開(kāi)拓碳中和新藍(lán)圖,關(guān)鍵技術(shù)助推鋰電儲(chǔ)能多場(chǎng)景加速落地
前不久,國(guó)務(wù)院印發(fā)的《2030 年前碳達(dá)峰行動(dòng)方案》指出,到2025年新型儲(chǔ)能裝機(jī)容量達(dá)到3000萬(wàn)千瓦以上。而國(guó)家發(fā)改委和國(guó)家能源局稍早前發(fā)布的《關(guān)于加快推動(dòng)新型儲(chǔ)能發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)》也明確了儲(chǔ)能發(fā)展目標(biāo):新型儲(chǔ)能裝機(jī)規(guī)模從2020年底的3.27GW增長(zhǎng)至2025年的30GW,五年間年均復(fù)合增長(zhǎng)率約55.8%。...
2022-01-29
系統(tǒng)支撐 碳中和 鋰電儲(chǔ)能
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)??jī)x表放大器與功率放大器選型指南
- 高壓BMS:電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的安全守護(hù)者與壽命延長(zhǎng)引擎
- 2025西部電博會(huì)啟幕在即,中文域名“西部電博會(huì).網(wǎng)址”正式上線
- IOTE 2025上海物聯(lián)網(wǎng)展圓滿收官!AIoT+5G生態(tài)引爆智慧未來(lái)
- 如何設(shè)計(jì)高性能CCM反激式轉(zhuǎn)換器?中等功率隔離應(yīng)用解析
- 攻克次諧波振蕩:CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨?jí)指南
- 羅姆助力英偉達(dá)800V HVDC重塑AI數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)
- 硬見(jiàn)天開(kāi) 智創(chuàng)WE來(lái)丨智能工程技術(shù)論壇成功舉辦
- 亦真科技XR奇遇!2025西部電博會(huì)開(kāi)啟VR密室/恐怖解密探險(xiǎn)之旅
- 高速電路穩(wěn)不穩(wěn)?關(guān)鍵藏在PCB疊層設(shè)計(jì)的“地層密碼”里
- 選型不再糾結(jié)!一文讀懂力芯微、TI、ADI升壓轉(zhuǎn)換器核心差異
- 曾懸賞百萬(wàn)求一敗的熱成像夜視儀,兩年后走下神壇了嗎?
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall