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3RG7 BERO:西門子光電式傳感器
光電式傳感器非接觸地探測物體，廣泛用于許多自動化領(lǐng)域，如管理系統(tǒng)、機械制造、包裝工業(yè)等。 西門子為這些不同的應(yīng)用領(lǐng)域提供了極大范圍的產(chǎn)品，從直徑只有4 mm、可探測距離50mm的BERO微型接近開關(guān)到傳輸距離達25 m耐用方形K80傳感器，再到極精密的BERO激光傳感器，傳輸距離達50 m。
2009-10-27
3RG7 BERO 傳感器 光電傳感器 激光傳感器 西門子
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太陽能“處女地” 交通成優(yōu)勢
大陸官方積極推動綠色能源應(yīng)用，內(nèi)需商機大開，臺灣業(yè)者積極西進設(shè)點，看好的就是龐大的內(nèi)需市場商機。聯(lián)電集團這次更大動作把薄膜太陽能電池與系統(tǒng)布局同時押寶山東，更讓臺灣太陽能廠進軍大陸受到矚目。
2009-10-27
太陽能 交通 內(nèi)需市場 處女地
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國家將收緊多晶硅項目再融資
國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長陳斌10月15日表示，為了引導(dǎo)多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，避免產(chǎn)業(yè)過度競爭，促進節(jié)能減排，國家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過剩的行業(yè)，將控制多晶硅項目的再融資。而最近，中國證監(jiān)會也向國家發(fā)改委移交了部分關(guān)于企業(yè)融資的審查權(quán)，以控制多晶硅等企業(yè)的再融資
2009-10-27
國家發(fā)改委 多晶硅 再融資
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ADA4424-6 :ADI推出高性能6通道視頻重建濾波器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出一款高性能6通道視頻重建濾波器，使消費類媒體播放器和專業(yè)視頻系統(tǒng)設(shè)計者輕松實現(xiàn)對標清 (SD) 乃至高清 (HD) 視頻信號的濾波和驅(qū)動。ADA4424-6 具備三個標清和三個增強/高清 (ED/HD) 通道，頻率響應(yīng)極其平坦，在0.1dB 通帶處不出現(xiàn)峰值，這正是1080p 高清媒體播...
2009-10-27
ADI6 通道 濾波器 視頻重建 ADA4424-6
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科士達太陽能光伏逆變器新品亮相廣交會
近日，第106屆廣交會一期在廣州琶洲國際會展中心成功舉行，深圳科士達科技股份有限公司攜全線UPS不間斷電源、一體化柜式機房及太陽能光伏逆變器新產(chǎn)品參加本屆展會。在本屆展會人氣整體回暖，海外客商同比增加的背景下，科士達憑借全系列創(chuàng)新產(chǎn)品的顯著競爭力，在為期5天的展期中喜攬遠超預(yù)期的訂單...
2009-10-27
科士達 太陽能 光伏逆變器
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降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時詳細地說明了這三種位置各自的優(yōu)點及缺點，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關(guān)管導(dǎo)通電阻、低端同步開關(guān)管導(dǎo)通電阻，以及...
2009-10-26
降壓轉(zhuǎn)換器 峰值電流模式 谷點電流模式
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基于Buck變換器的LED驅(qū)動器反饋環(huán)路設(shè)計及測試
本文討論了基于Buck變換器的LED驅(qū)動器與常規(guī)的Buck變換器的設(shè)計差異，介紹了這種LED驅(qū)動器高端電流取樣和低端電流取樣各自的優(yōu)缺點，然后闡述了AOZ0181的工作特性，同時介紹了AOZ0181反饋環(huán)路的設(shè)計過程。最后，分析了不能直接測量Buck型LED驅(qū)動器增益裕量和相位裕量的原因，并給出了通過增加一個電...
2009-10-26
Buck變換器 LED 增益裕量 相位裕量 電壓跟隨器
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使用自鉗位MOSFET設(shè)計電動工具控制器
本文介紹了電動工具控制器的工作原理，詳細的分析了電動工具中MOSFET的功率損耗以及線路引線電感對MOSFET開關(guān)波形的影響，同時，介紹了自鉗位MOSFET的工作特性以及在設(shè)計電動工具驅(qū)動電路時應(yīng)注意的問題，并給出了使用自鉗位MOSFET設(shè)計的電動工具控制器的工作波形和測試結(jié)果。
2009-10-26
電動工具 自鉗位MOSFET 驅(qū)動
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應(yīng)的Qg，Qds和Qgs在開關(guān)過程中對開關(guān)損耗的影響。基于在理想狀態(tài)下，用工程簡化方式計算出MOSFET在開關(guān)過程中不同階段的開關(guān)損耗，并分析出Crss及相對應(yīng)的Qgd對于MOSFET管的開關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后，論述了在實際狀態(tài)下，Coss對開通和關(guān)斷過程...
2009-10-26
米勒電容 開關(guān)損耗 零電壓開關(guān)
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