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測(cè)試測(cè)量

功率半導(dǎo)體：強(qiáng)化設(shè)計(jì)能力尋求中高端突破

功率半導(dǎo)體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展到4C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國民經(jīng)濟(jì)與國防建設(shè)的各個(gè)方面。我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，擁...

2009-12-25

功率器件開關(guān) 功率二極管高端

我國將制定電子書版式行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

方正阿帕比公司首席技術(shù)官湯幟向新浪科技介紹說，方正同業(yè)內(nèi)上下游廠商一道，組成了版式技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟(DIAA)，推進(jìn)新版式技術(shù)在各行各業(yè)的應(yīng)用，目前已吸引了行業(yè)內(nèi)共計(jì)30多家有關(guān)單位參與。方正阿帕比是方正集團(tuán)旗下提供數(shù)字出版技術(shù)及整體解決方案公司。

2009-12-25

制定電子書版式行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

無源、有源隔離器和配電隔離器的區(qū)別和應(yīng)用

本文主要講無源、有源隔離器和配電隔離器的區(qū)別和應(yīng)用

2009-12-25

有源隔離器配電隔離器 P-0113

2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望

2008年下半年，國際金融風(fēng)暴席卷全球，以出口為主導(dǎo)的中國大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進(jìn)出口受阻，導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時(shí)實(shí)行積極的財(cái)政政策，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，努力擴(kuò)大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個(gè)別月份有所波動(dòng)，但回升趨勢(shì)...

2009-12-24

電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧展望

友達(dá)大陸設(shè)廠日趨明朗：投資額或超百億

友達(dá)光電相關(guān)人士對(duì)新浪科技表示，只待政策確定就可展開行動(dòng)。對(duì)于大陸已有多個(gè)高世代面板廠開建，友達(dá)則表示，一旦在大陸啟動(dòng)，就會(huì)“加速趕上”。

2009-12-24

友達(dá) 大陸設(shè)廠投資面板

報(bào)告稱2014年移動(dòng)設(shè)備銷量將翻番至22.5億臺(tái)

ABI Research稱，移動(dòng)設(shè)備銷量增長的趨勢(shì)將會(huì)繼續(xù)，2009年移動(dòng)設(shè)備銷量將達(dá)到12億臺(tái)，到2014年時(shí)將會(huì)翻一番至22.5億臺(tái)。

2009-12-24

2014年移動(dòng)設(shè)備銷量翻番 22.5億臺(tái)

醫(yī)療電子：超低功耗方案助力便攜醫(yī)療電子應(yīng)用

在新醫(yī)改方案中，中國政府計(jì)劃在2009年-2011年的3年間投入8500億元，用于基層醫(yī)療衛(wèi)生服務(wù)體系、基本公共衛(wèi)生服務(wù)逐步均等化等五項(xiàng)重點(diǎn)改革。而且，新醫(yī)改將成為中國便攜醫(yī)療電子市場(chǎng)快速增長的催化劑。以電子血壓計(jì)、血氧儀、心電監(jiān)護(hù)儀等為代表的家用便攜醫(yī)療電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們?nèi)粘＝】当O(jiān)測(cè)的...

2009-12-24

醫(yī)療電子恩智蒲醫(yī)改低功耗方案

Toshiba-components推出低導(dǎo)通電阻快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET

新產(chǎn)品包括5個(gè)N溝道MOSFET和1個(gè)MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設(shè)計(jì)人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...

2009-12-24

東芝低導(dǎo)通電阻快速轉(zhuǎn)換 MOSFET

Gartner：全球半導(dǎo)體設(shè)備將增長45%

據(jù)國外媒體報(bào)道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動(dòng)了2009下半年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的增長，2010年的增長主要將由上半年技術(shù)升級(jí)的帶動(dòng)，2010年第3季單季增長率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設(shè)備產(chǎn)業(yè)預(yù)期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。

2009-12-24

Gartner 全球半導(dǎo)體增長

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