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【測(cè)試案例分享】信號(hào)鏈芯片的眼圖和抖動(dòng)測(cè)試
信號(hào)鏈芯片的驗(yàn)證離不開(kāi)抖動(dòng)和眼圖測(cè)量。抖動(dòng)考慮的是時(shí)鐘或數(shù)據(jù)過(guò)零點(diǎn)的時(shí)刻的不確定性，眼圖則更加直觀(guān)，以參考時(shí)鐘的邊沿為刀，將數(shù)據(jù)波形切割成無(wú)數(shù)的小段，每段波形只有 1 個(gè) bit。然后將這些小段波形堆疊到一起，形成的眼睛形狀的圖片，稱(chēng)之為眼圖。
2024-07-01
信號(hào)鏈芯片 眼圖 抖動(dòng)測(cè)試
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高精度與高功率密度齊頭并進(jìn)，解鎖數(shù)據(jù)中心測(cè)試的未來(lái)藍(lán)圖
為了滿(mǎn)足高速數(shù)據(jù)傳輸需求，數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，在這個(gè)過(guò)程中光器件的作用變得越來(lái)越重要。實(shí)現(xiàn)電信號(hào)與光信號(hào)之間的高效轉(zhuǎn)換需要精確的測(cè)試解決方案，尤其是用于對(duì)高度集成的光器件執(zhí)行測(cè)試的解決方案。盡管這些器件的測(cè)試還面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，但已經(jīng)有一些創(chuàng)新的解決方案能夠提高測(cè)試效率和準(zhǔn)確度。
2024-06-28
數(shù)據(jù)中心 電信號(hào) 光信號(hào) 光器件
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實(shí)例分享！BMS采樣板針對(duì)低頻磁場(chǎng)抗擾測(cè)試解決方案
通常汽車(chē)零部件受到的磁場(chǎng)干擾可以分為內(nèi)部或外部干擾源干擾，其中內(nèi)部干擾源包括汽車(chē)的電動(dòng)馬達(dá)、制動(dòng)器等；而外部干擾源包括功率傳輸線(xiàn)、充電站等。低頻磁場(chǎng)抗擾測(cè)試 MFI 的方法是將 DUT 暴露在干擾磁場(chǎng)中進(jìn)行測(cè)試。輻射環(huán)可以產(chǎn)生干擾磁場(chǎng)，還可以用于小型 DUT 測(cè)試，或者采用多點(diǎn)放置的方法來(lái)測(cè)...
2024-06-25
BMS采樣板 低頻磁場(chǎng) 抗擾測(cè)試
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【測(cè)試案例分享】隔離接口芯片失真測(cè)試
隔離是一種電路設(shè)計(jì)技術(shù)，允許兩個(gè)電路進(jìn)行通信，可消除在它們之間流動(dòng)的任何不需要的直流電流和交流干擾電流。隔離常用于保護(hù)操作人員和低壓電路免受高電壓影響，或防止通信子系統(tǒng)之間的地電位差，或改善系統(tǒng)的抗噪性能。常見(jiàn)的隔離方式包括光耦，磁隔和容隔。
2024-06-25
泰克科技 隔離接口芯片 失真測(cè)試
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西部電博會(huì)開(kāi)展倒計(jì)時(shí)！觀(guān)眾預(yù)登記火熱進(jìn)行中！
第十二屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)以“創(chuàng)新協(xié)同，融聚極核”為主題，力求通過(guò)強(qiáng)大的品牌集聚效應(yīng)，形成以展覽、展示為基礎(chǔ)，同時(shí)結(jié)合高峰論壇、學(xué)術(shù)交流、行業(yè)賽事等多種形式為載體，打造一個(gè)產(chǎn)、學(xué)、研、用高度融合的多元化宣傳與展示平臺(tái)。
2024-06-25
基礎(chǔ)電子元器件 半導(dǎo)體IC
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注意！這兩種三相電源濾波器的選擇有竅門(mén)！
在電力工程中，三相電力系統(tǒng)至少包含三個(gè)承載交流電壓的導(dǎo)體，該交變電壓會(huì)在三分之一周期時(shí)出現(xiàn)偏移（每個(gè)相均設(shè)置為相同的頻率和電壓振幅，但各相會(huì)偏移120°，從而在電氣循環(huán)期間實(shí)現(xiàn)恒定的功率傳輸）。下圖1展示了三相系統(tǒng)在一個(gè)周期的時(shí)域中瞬時(shí)電壓的典型波形。
2024-06-24
三相電源濾波器
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意法半導(dǎo)體發(fā)布高能效智能慣性測(cè)量單元，提供工業(yè)產(chǎn)品壽命保證
意法半導(dǎo)體6軸慣性測(cè)量單元 (IMU) ISM330BX 集成邊緣 AI 處理器、傳感器擴(kuò)展模擬集線(xiàn)器和Qvar電荷變化檢測(cè)器，并提供產(chǎn)品壽命保證，適用于設(shè)計(jì)高能效工業(yè)傳感器和動(dòng)作跟蹤器。
2024-06-21
意法半導(dǎo)體 智能慣性測(cè)量單元 工業(yè)產(chǎn)品
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智能邊緣傳感器需要新電源概念
工業(yè)傳感器電源領(lǐng)域目前創(chuàng)新迭出，但也充滿(mǎn)挑戰(zhàn)。智能邊緣的實(shí)現(xiàn)需要智能數(shù)據(jù)方面的準(zhǔn)備。這就需要在電源方面進(jìn)行創(chuàng)新。在某些情況下，智能邊緣傳感器需要由單對(duì)雙絞線(xiàn)電纜供電，單對(duì)以太網(wǎng)供電(SPoE)解決方案可以滿(mǎn)足需要。在其他應(yīng)用中，納安級(jí)功耗解決方案有助于節(jié)省能源，從而在傳感器側(cè)實(shí)現(xiàn)更...
2024-06-20
智能邊緣傳感器 新電源
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有...
2024-06-20
SiC MOS
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