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安森美公布2025年第二季度財(cái)報(bào)
安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代碼:ON)公布其2025年第二季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-08-05
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安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
安森美(onsemi)與驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)舍弗勒(Schaeffler)進(jìn)一步深化技術(shù)合作,雙方在最新中標(biāo)項(xiàng)目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列。該方案將應(yīng)用于舍弗勒主驅(qū)逆變器,為全球知名汽車制造商的先進(jìn)插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)平臺(tái)提供核心動(dòng)力支持。此次合作標(biāo)志著碳化硅技術(shù)在新能源車載系統(tǒng)中的關(guān)鍵落地,助力PHEV性能與能效雙重升級(jí)。
2025-08-01
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安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
安森美(onsemi)與英偉達(dá)(NVIDIA)達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同推進(jìn)800V直流(VDC)供電架構(gòu)在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用。這一創(chuàng)新方案將助力下一代AI數(shù)據(jù)中心在能效、功率密度及環(huán)境可持續(xù)性方面實(shí)現(xiàn)突破性提升,加速行業(yè)向高密度、低能耗的計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型。
2025-08-01
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毫米級(jí)電源革命:三款旗艦LDO如何重塑終端供電格局?
在智能終端向微型化、高集成度加速演進(jìn)的浪潮中,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)作為電源管理的核心組件,正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)變革??臻g利用率、靜態(tài)功耗、低壓輸入能力已成為衡量LDO性能的關(guān)鍵維度,直接決定著終端設(shè)備的續(xù)航能力、功能擴(kuò)展?jié)摿εc可靠性表現(xiàn)。本文聚焦艾為電子AW37334YXXXFOR、德州儀器(TI)TPS7A02及安森美(Onsemi)NCP110三款代表不同技術(shù)路線的LDO產(chǎn)品,通過深度解析其設(shè)計(jì)理念與性能差異,為工程師在可穿戴設(shè)備、醫(yī)療電子、物聯(lián)網(wǎng)終端等場景的選型提供專業(yè)參考。
2025-07-23
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安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心,助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐,全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對(duì)大模型訓(xùn)練、實(shí)時(shí)推理等場景帶來的指數(shù)級(jí)能耗增長,全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應(yīng)商安森美(onsemi)正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》,首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅(SiC)技術(shù)的全鏈路電源解決方案,為下一代超算中心提供從電網(wǎng)接入到芯片供電的完整能效優(yōu)化路徑。
2025-06-25
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挑戰(zhàn)極限溫度:高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中,或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下,集成電路(IC)的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴(kuò)大10℃,芯片壽命可能縮短一半。安森美(onsemi)的Treo平臺(tái)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)證明:通過材料革新(如SiC/GaN)與動(dòng)態(tài)熱管理,高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導(dǎo)’為結(jié)溫危機(jī),并拆解工業(yè)級(jí)解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
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拓?fù)鋬?yōu)化:解鎖電池供電設(shè)備高效設(shè)計(jì)密碼
隨著電池供電設(shè)備變得越來越普及,快速充電對(duì)于提升此類設(shè)備的便利性至關(guān)重要。本文討論了設(shè)計(jì)高效電池充電系統(tǒng)時(shí)必須考慮的標(biāo)準(zhǔn),介紹了較為常用的拓?fù)洌㈥U述了安森美 (onsemi) 的功率半導(dǎo)體如何助力實(shí)現(xiàn)高性能方案。
2025-05-23
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn):共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)詳解
安森美(onsemi)推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管(SiC JFET cascode)在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔,通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性,本文作為開篇之作,將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu),更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì)及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀,為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。
2025-04-08
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安森美攜新款智能圖像感知方案亮相Vision China(上海)2025
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON) 將攜新款圖像感知技術(shù)及方案亮相于3月26 - 28日在上海新國際博覽中心舉辦的中國(上海)機(jī)器視覺展暨機(jī)器視覺技術(shù)及工業(yè)應(yīng)用研討會(huì) (Vision China 2025),展位號(hào)為W4-No.4317。
2025-03-20
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來了!
隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升,能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物(SiC)JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下,安森美(onsemi)的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點(diǎn)。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET,涵蓋Cascode(共源共柵)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討,以及實(shí)用的設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則。接下來,文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇,聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-06
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安森美與電裝(DENSO)加強(qiáng)合作關(guān)系
安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)和一級(jí)汽車供應(yīng)商(tier-one)株式會(huì)社電裝(DENSO CORPORATION,以下簡稱“電裝”)宣布加強(qiáng)在自動(dòng)駕駛(AD)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)技術(shù)方面的長期合作關(guān)系。
2024-12-19
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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