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碳化硅如何為電機(jī)驅(qū)動(dòng)賦能
近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通的電源和充電器到太陽(yáng)能發(fā)電和能量存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長(zhǎng)，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。
2021-08-05
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貿(mào)澤電子與Fingerprint Cards簽署全球分銷協(xié)議
2021年8月4日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名生物識(shí)別技術(shù)公司Fingerprint Cards (Fingerprints) 簽署全球分銷協(xié)議。簽署本協(xié)議后，貿(mào)澤將向客戶分銷Fingerprints的BM-Lite模塊與開(kāi)發(fā)套件，以幫助設(shè)計(jì)工程師開(kāi)發(fā)可通過(guò)生物識(shí)別訪問(wèn)的設(shè)備。
2021-08-04
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全面計(jì)算雄心！一文解構(gòu)“十年磨一劍”的Armv9新架構(gòu)
近日，在由易維訊主辦的第九屆年度中國(guó)電子ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上，安謀科技高級(jí)FAE經(jīng)理鄒偉為業(yè)界深度解讀Arm歷經(jīng)十年打磨才新發(fā)布的針對(duì)不同層次算力需求、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）發(fā)展路徑的全新一代Armv9架構(gòu)，其不僅是Arm架構(gòu)演進(jìn)的又一個(gè)里程碑，也將成為Arm未來(lái)十年及更遠(yuǎn)時(shí)代推進(jìn)行業(yè)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2021-08-04
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使用IC采樣保持放大器
采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程的基礎(chǔ)。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對(duì)輸入信號(hào)采樣，同時(shí)傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個(gè)采樣值（保持），直到再次對(duì)輸入采樣。在大多數(shù)應(yīng)用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換器的“前端”。這樣使用時(shí)，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間段內(nèi)，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。
2021-08-03
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重磅行業(yè)白皮書(shū)披露工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型洞察，ADI全線解決方案助力消除關(guān)鍵落地痛點(diǎn)
今年年初，工信部印發(fā)《工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2021—2023年）》對(duì)今后三年工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的重點(diǎn)工作內(nèi)容做出部署，具體包括：實(shí)施網(wǎng)絡(luò)體系強(qiáng)基行動(dòng)，推進(jìn)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)互通工程，推動(dòng)IT與OT網(wǎng)絡(luò)深度融合；實(shí)施平臺(tái)體系壯大行動(dòng)，推進(jìn)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)體系化升級(jí)工程，推動(dòng)工業(yè)設(shè)備和業(yè)務(wù)系統(tǒng)上云上平臺(tái)數(shù)量比2020年翻一番；等等。行動(dòng)計(jì)劃完整反應(yīng)了當(dāng)前工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的大勢(shì)所趨，在第九屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上，ADI首次線下發(fā)布的思想領(lǐng)導(dǎo)力白皮書(shū)《工業(yè)4.0數(shù)字化轉(zhuǎn)型洞察：無(wú)縫連接推動(dòng)工業(yè)創(chuàng)新》關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)也反應(yīng)這個(gè)趨勢(shì)。
2021-08-03
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兼容SPICE的運(yùn)算放大器宏模型
目前，電路仿真領(lǐng)域呈現(xiàn)采用全方位電路仿真方法的趨勢(shì)。我們認(rèn)為，在所有安裝的電路仿真器中，有75%用于系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而不是IC設(shè)計(jì)。幾乎所有這些仿真器都是SPICE的變體。隨著電子行業(yè)不斷發(fā)展，系統(tǒng)工程師面對(duì)日益增多的集成電路，尤其是無(wú)處不在的運(yùn)算放大器，也需要愈加精準(zhǔn)的模型。但是，這些IC器件的速度和復(fù)雜性不斷提高，給初期的SPICE開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)了始料未及的問(wèn)題。
2021-08-02
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貿(mào)澤連續(xù)第五年榮獲第十屆中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)“2021杰出品牌形象”獎(jiǎng)
2021年7月29日－專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布在第十屆中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)暨2021可持續(xù)商業(yè)大會(huì)中榮獲 “2021杰出品牌形象”企業(yè)獎(jiǎng)，貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場(chǎng)及商務(wù)拓展副總裁田吉平女士榮獲“十年杰出商業(yè)領(lǐng)袖”人物獎(jiǎng)。此次評(píng)選由大會(huì)評(píng)委會(huì)審議，貿(mào)澤憑借在市場(chǎng)中不斷創(chuàng)新進(jìn)取的品牌活力和積極性獲此殊榮，田吉平女士以其優(yōu)異的企業(yè)組織管理能力、靈活的應(yīng)變力和專業(yè)的知識(shí)素養(yǎng)，領(lǐng)導(dǎo)貿(mào)澤電子在分銷行業(yè)中一路升級(jí)而獲得個(gè)人榮譽(yù)。
2021-08-01
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貿(mào)澤榮獲Molex亞太、美洲及歐洲區(qū)年度電子目錄分銷商大獎(jiǎng)
2021年7月30日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布榮獲全球知名電子解決方案制造商Molex 頒發(fā)的2020年度亞太 (APS)、美洲及歐洲區(qū)電子目錄分銷商大獎(jiǎng)。2020年，貿(mào)澤憑借在上述三大區(qū)域大幅增長(zhǎng)的客戶數(shù)，以及POS增速迅猛而獲此殊榮。此前，貿(mào)澤已連續(xù)三年獲得歐洲區(qū)電子目錄分銷商獎(jiǎng)，并連續(xù)兩年獲得亞太區(qū)和美洲電子目錄分銷商獎(jiǎng)。
2021-08-01
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如何選擇升壓調(diào)節(jié)器/控制器IC并使用LTspice選擇外圍組件
為升壓調(diào)節(jié)器選擇IC的過(guò)程與降壓調(diào)節(jié)器不同，主要區(qū)別在于所需輸出電流與調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格之間的關(guān)系。在降壓拓?fù)渲?，平均電感電流基本上與負(fù)載電流相同。而升壓拓?fù)涞那樾蝿t不一樣，它需要基于開(kāi)關(guān)電流進(jìn)行計(jì)算。本文介紹了升壓調(diào)節(jié)器IC（帶內(nèi)部MOSFET）或控制器IC（帶外部MOSFET）的選擇標(biāo)準(zhǔn)，以及如何使用LTspice?選擇合適的外圍組件以構(gòu)建完整的升壓功率級(jí)。
2021-08-01
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貿(mào)澤電子宣布與Marktech Optoelectronics簽訂全球分銷協(xié)議
貿(mào)澤電子宣布與Marktech Optoelectronics簽訂全球分銷協(xié)議。Marktech Optoelectronics是標(biāo)準(zhǔn)和定制光電子元件與組件的知名設(shè)計(jì)和制造商。簽約后，貿(mào)澤將為客戶提供Marktech Optoelectronics的一系列發(fā)射器和光電二極管，其應(yīng)用范圍包括夜視、安全設(shè)備、光纖和驗(yàn)鈔等。
2021-07-29
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經(jīng)典MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路
首先查看電源IC手冊(cè)，了解最大峰值驅(qū)動(dòng)電流，因?yàn)椴煌?span id="rphhxjf" class='red'>IC芯片具有不同的驅(qū)動(dòng)能力。其次，檢查MOSFET的寄生電容，如圖中的C1、C2和C3，如果容值較大，導(dǎo)通MOS管所需的能量也比較大。如果電源IC沒(méi)有足夠的峰值驅(qū)動(dòng)電流，晶體管將以較慢的速度開(kāi)啟。
2021-07-28
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貿(mào)澤電子聯(lián)手安森美半導(dǎo)體推出全新資源網(wǎng)站探索高功率電源轉(zhuǎn)換策略與解決方案
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 聯(lián)手致力于推動(dòng)能源效率創(chuàng)新的知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體，共同推出專門(mén)介紹超高密度電源轉(zhuǎn)換解決方案的全新資源平臺(tái)。
2021-07-27
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 貿(mào)澤電子自動(dòng)化資源中心上線：工程師必備技術(shù)寶庫(kù)
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