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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器,特別是電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動(dòng)命令信號(hào)錯(cuò)誤,就會(huì)致使變換器功率開(kāi)關(guān)管在雪崩條件下工作。因此,本文通過(guò)模擬雪崩事件,進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)測(cè)試,并使用不同的SiC MOSFET器件,按照不同的測(cè)試條件,評(píng)估技術(shù)的失效能量和魯棒性。
2020-08-10
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門(mén)極驅(qū)動(dòng)器方案–––即插即用快速評(píng)估和測(cè)試
電力電子在當(dāng)今世界無(wú)處不在:半導(dǎo)體的隱藏功能,可實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用,從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò),再到日趨電子化的汽車(chē)。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力,從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要?jiǎng)恿κ情_(kāi)關(guān):功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數(shù)拓?fù)渲?,這些晶體管以kHz至MHz的頻率開(kāi)和關(guān)。
2020-08-10
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探索電源創(chuàng)新,貿(mào)澤與你大咖說(shuō)首期直播即將上線(xiàn)
2020年8月7日-專(zhuān)注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布即將推出“貿(mào)澤與你大咖說(shuō)”系列直播欄目。此檔節(jié)目將聚焦最新產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì),每一期特邀來(lái)自行業(yè)技術(shù)大咖與知名原廠(chǎng)專(zhuān)家以圓桌探討的形式在線(xiàn)解讀行業(yè)應(yīng)用趨勢(shì)與創(chuàng)新解決方案。首期直播將于8月15日周六的14-17點(diǎn)上線(xiàn),屆時(shí)來(lái)自ADI和KEMET 的重量級(jí)嘉賓攜手行業(yè)專(zhuān)家饒騫先生將共同圍繞“DC/DC電源技術(shù)——從簡(jiǎn)至極”展開(kāi)推進(jìn),解密電源系統(tǒng)創(chuàng)新應(yīng)用解決,在深度探討中直擊未來(lái)技術(shù)新趨勢(shì)。
2020-08-07
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功能豐富的系統(tǒng)需要采用靈活、可配置的20V大電流PMIC
隨著技術(shù)不斷進(jìn)步,所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多,可用空間卻在不斷減少。手機(jī)有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車(chē)儀表盤(pán)上只有基本的AM收音機(jī)和少量簡(jiǎn)易的儀表,現(xiàn)在卻裝滿(mǎn)了精密的儀器儀表、衛(wèi)星收音機(jī)、藍(lán)牙?、GPS和其他基于手機(jī)的網(wǎng)絡(luò)連接、多彩車(chē)燈以及無(wú)數(shù)的USB接口。工業(yè)計(jì)算機(jī)包含條形碼讀碼器、大屏幕、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和發(fā)光鍵盤(pán)。醫(yī)療電子設(shè)備包含傳感器、多強(qiáng)度閃光燈、儀表和省電模式。
2020-08-07
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東芝與MikroElektronika展開(kāi)合作,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC開(kāi)發(fā)評(píng)估板
中國(guó)上海——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,與MikroElektronika(“Mikroe”)合作推出基于東芝電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC的Click boards?開(kāi)發(fā)評(píng)估板。Mikroe是一家設(shè)計(jì)和制造用于嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的軟硬件工具的公司??蛻?hù)現(xiàn)在可通過(guò)由Mikroe制造和銷(xiāo)售的評(píng)估板Click boards?對(duì)東芝電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)行評(píng)估。
2020-08-06
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艾邁斯為midge medical提供傳感器技術(shù),用于開(kāi)發(fā)COVID-19快速檢測(cè)設(shè)備
中國(guó),2020年8月6日——全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體(ams AG,瑞士股票交易所股票代碼:AMS)為位于德國(guó)柏林的醫(yī)療技術(shù)初創(chuàng)公司midge medical提供新傳感器技術(shù),助力開(kāi)發(fā)顛覆性的檢測(cè)技術(shù),以更低的成本,在居家和專(zhuān)業(yè)醫(yī)療環(huán)境中實(shí)施以技術(shù)為依托的快速基因和血液檢測(cè)。
2020-08-06
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可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世
東京——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”)今日宣布了一種可提高碳化硅(SiC)MOSFET[1]可靠性的新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世。相較于東芝的典型器件結(jié)構(gòu),MOSFET內(nèi)嵌的肖特基勢(shì)壘二極管[2](SBD)可在抑制導(dǎo)通電阻增大的同時(shí),將器件結(jié)構(gòu)的可靠性提高10倍以上[3]。
2020-08-05
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瀾起:日新月異,瀾起領(lǐng)跑芯片行業(yè)
集成電路作為電子信息產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ),是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。作為第八屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2020)中的重要一環(huán),集成電路前景廣闊。在8月14日-16日深圳舉辦的CITE2020中,集成電路板塊匯聚半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備和材料的主力廠(chǎng)商,一場(chǎng)IC產(chǎn)業(yè)盛宴即將上演。盛宴重點(diǎn)嘉賓瀾起科技屆時(shí)也會(huì)到場(chǎng)參加
2020-08-04
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ADI與英特爾攜手開(kāi)發(fā)應(yīng)對(duì)5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的無(wú)線(xiàn)電平臺(tái)
Analog Devices, Inc. (ADI) 宣布與英特爾公司攜手開(kāi)發(fā)應(yīng)對(duì)5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的靈活無(wú)線(xiàn)電平臺(tái),這款平臺(tái)有助于客戶(hù)以更低的成本更迅速地?cái)U(kuò)展其5G網(wǎng)絡(luò)規(guī)模。新型無(wú)線(xiàn)電平臺(tái)集成了ADI射頻(RF)收發(fā)器的先進(jìn)技術(shù)和英特爾Arria 10現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)的高性能和低功耗特性,為開(kāi)發(fā)人員提供了一套新的設(shè)計(jì)工具,使其能夠更輕松地創(chuàng)建優(yōu)化的5G解決方案。
2020-08-04
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聚焦連接器線(xiàn)束行業(yè)熱點(diǎn)趨勢(shì) ICH Shenzhen深圳展會(huì)即將盛大開(kāi)幕
隨著5G、新能源汽車(chē)行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展,有一個(gè)行業(yè)也與之息息相關(guān),那就是連接器線(xiàn)束行業(yè)。連接器線(xiàn)束行業(yè)處于制造業(yè)的中上游,下游市場(chǎng)主要為汽車(chē)、通訊、消費(fèi)類(lèi)電子、工業(yè)、國(guó)防等,從細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看,連接器線(xiàn)束最大的應(yīng)用市場(chǎng)在汽車(chē)、3C電子和通訊行業(yè),伴隨著5G、新能源汽車(chē)新一輪的普及推廣,將為連接器線(xiàn)束市場(chǎng)注入新的增長(zhǎng)動(dòng)力。
2020-08-04
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在太陽(yáng)能逆變器中利用iCoupler數(shù)字隔離器進(jìn)行設(shè)計(jì)
如果打開(kāi)典型的中央逆變器太陽(yáng)能系統(tǒng)的逆變器控制器外 殼,可以在多處發(fā)現(xiàn)數(shù)字隔離產(chǎn)品的身影。其中包括柵極 驅(qū)動(dòng)信號(hào)的隔離、電壓控制環(huán)路中數(shù)字反饋的隔離以及通 信通道的隔離。ADI提供的產(chǎn)品完全符合這些設(shè)計(jì)需求。
2020-08-04
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新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出 現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系 統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺 寸和重量;這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率 開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本 文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些主要差異,以及柵 極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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