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Avago推出緊湊型防水高亮度表面貼裝三色LED
Avago Technologies(安華高科技)宣布領先業(yè)內開發(fā)出第一款緊湊型高亮度防水三色表面貼裝發(fā)光二極管(LED, Light Emitting Diode)產品，適合室內和戶外全彩標志和顯示看板應用。
2010-02-03
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TF3系列：Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出內置熔絲的新系列TANTAMOUNT?低ESR固鉭貼片電容器---TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸，可在以安全為首要考慮的應用中為短路故障提供非常高級別的保護。
2010-02-02
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Aitech Defense Systems推出嵌入式應用的3U電源P230
Aitech Defense Systems推出嵌入式應用的3U電源P230，P230是一個3U傳導冷卻電源，在18~36Vdc的連續(xù)輸入電壓范圍內工作。器件適合小外形、強大、堅固的基于VME-，CompactPCI-，和VPX系統(tǒng)的嵌入式計算應用中。
2010-02-02
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iCharge DX：日本廠商推出便攜式太陽能充電器
由日本周邊廠商Linksinternational推出一款便攜式太陽能充電器“iCharge DX”，這款多功能充電器適用于各種主機，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各種便攜式電子設備。
2010-02-01
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ISL8200M：Intersil推出緊湊、可擴展的電源模塊
ISL8200M是10A、高度集成的POL穩(wěn)壓器，采用表面安裝的QFN封裝，內部包含一個PWM控制器、功率MOSFET、功率電感器和相關的分立器件，是計算、通信和網絡基礎設施，以及工業(yè)市場中各種應用的理想之選。
2010-01-29
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英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM UE2
英飛凌無線解決方案部副總裁兼智能手機與射頻業(yè)務分部總經理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2顯著改善了所有關鍵性能指標：成本、尺寸、功耗和射頻性能。我們成熟、領先的射頻技術，可確?？蛻糸_發(fā)出外形極其靈活、電池壽命更長的全新智能手機和移動互聯(lián)網設備。”
2010-01-29
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FPF110x:飛兆半導體IntelliMAX?負載開關滿足家用和診斷計量
隨著終端應用設備的體積日趨減小，飛兆半導體繼續(xù)因應這一發(fā)展趨勢，利用先進的集成能力，提供以超小外形尺寸包羅高功能性之解決方案，其中包括最新推出的FPF110x先進斜率負載開關系列。 FPF110x是IntelliMAX? 產品系列旗下最新的產品，相比目前使用的傳統(tǒng)解決方案，這些器件能夠延長終端應用設備的電池壽命，并減少占用空間。
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出適用于汽車的DirectFET 2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET?2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
2010-01-29
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2010年美國小型半導體公司恐掀被并潮
據路透(Reuters)報導，由于整體經濟疲弱，半導體廠商要靠自家的力量達到營收成長，相對難度較高，因此購并在利基型市場上有獨到技術的小型廠商，將是2010年的趨勢，而這些小型的半導體廠商恐怕也會掀起被購并潮。
2010-01-28
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Vishay推出新款小尺寸100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器
Vishay Intertechnology宣布推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。
2010-01-28
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
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