-
IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
2023-10-25
-
基于光學(xué)發(fā)射光譜法監(jiān)測(cè)等離子體的光譜峰
海洋光學(xué)（Ocean Optics）長(zhǎng)期以來(lái)一直為半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商的新材料研究提供強(qiáng)大支持，同時(shí)協(xié)助用戶(hù)克服等離子刻蝕、沉積、涂層和清潔等方面的困難和挑戰(zhàn)。海洋光學(xué)的光譜儀，基于光學(xué)發(fā)射光譜技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于等離子體監(jiān)測(cè)，并在刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)方面表現(xiàn)出色。
2023-10-24
-
如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
2023-10-23
-
艾睿5G和Wi-Fi 6融合無(wú)線通信解決方案
5G和Wi-Fi是針對(duì)不同應(yīng)用需求所開(kāi)發(fā)的通信技術(shù)，看似針對(duì)不同的市場(chǎng)與需求，但其實(shí)彼此之間具有互補(bǔ)性，若能夠?qū)?G和Wi-Fi技術(shù)相結(jié)合，將能夠發(fā)揮5G和Wi-Fi技術(shù)各自的優(yōu)勢(shì)，并藉此擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)。本文將為您介紹5G和Wi-Fi技術(shù)的最新發(fā)展與5G CPE（Customer Premises Equipment，用戶(hù)駐地設(shè)備）的應(yīng)用模式，以及由艾睿電子、Nordic等公司推出的相關(guān)解決方案。
2023-10-23
-
射頻信號(hào)鏈的原位非線性校準(zhǔn)
提出了一種線性化級(jí)聯(lián)組合信號(hào)IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)/原型設(shè)計(jì)周期，并以可忽略不計(jì)的功耗成本最大限度地提高信號(hào)鏈性能。報(bào)告了使用高達(dá)3GHz的RF信號(hào)并使用12b/10GSPS ADC進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，驗(yàn)證了該方法的有效性。
2023-10-23
-
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長(zhǎng)死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時(shí)，將和大家探討不同類(lèi)型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-10-22
-
如何保護(hù)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)免受故障影響
正常運(yùn)行時(shí)間是工業(yè)自動(dòng)化、樓宇自動(dòng)化、運(yùn)動(dòng)控制和過(guò)程控制等應(yīng)用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關(guān)鍵指標(biāo)。執(zhí)行維護(hù)、人為失誤和設(shè)備故障都會(huì)導(dǎo)致停機(jī)。與停機(jī)相關(guān)的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質(zhì)。與維護(hù)和人為失誤相關(guān)的停機(jī)無(wú)法避免，但大多數(shù)與設(shè)備相關(guān)的故障是可以預(yù)防的。本文重點(diǎn)介紹由電源故障引起的停機(jī)，以及如何在設(shè)備的電源系統(tǒng)中使用現(xiàn)代保護(hù)IC來(lái)防止發(fā)生電源故障。
2023-10-21
-
給SiC FET設(shè)計(jì)PCB有哪些注意事項(xiàng)？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。此類(lèi)器件具有超快的開(kāi)關(guān)速度和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類(lèi)應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進(jìn)行測(cè)量，因此，PCB跡線電阻可能相當(dāng)大，須謹(jǐn)慎降低以保持低系統(tǒng)傳導(dǎo)損耗。
2023-10-21
-
低功耗、精準(zhǔn)檢測(cè)、超長(zhǎng)待機(jī)，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備助力實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)
在實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”和“碳中和”的“雙碳”目標(biāo)過(guò)程中，廣泛存在的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備是一個(gè)重要抓手。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IoT Analytics發(fā)布的報(bào)告顯示，2022年全球物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)達(dá)到143億；預(yù)計(jì)到2023年，這一數(shù)量將再增長(zhǎng)16%，達(dá)到160億個(gè)。
2023-10-20
-
使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開(kāi)關(guān)類(lèi)型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專(zhuān)用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開(kāi)關(guān)管以及 LS 開(kāi)關(guān)管提供輸出。
2023-10-20
-
如何在SPICE中構(gòu)建鉑RTD傳感器模型
KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識(shí)）電路應(yīng)用筆記提供應(yīng)對(duì)特定設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的分步指南。對(duì)于給定的一組應(yīng)用電路要求，本文說(shuō)明了如何利用通用公式應(yīng)對(duì)這些要求，并使它們輕松擴(kuò)展到其他類(lèi)似的應(yīng)用規(guī)格。該傳感器模型支持對(duì)電阻溫度檢測(cè)器(RTD)的電氣和物理特性進(jìn)行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD（其將溫度轉(zhuǎn)化為電阻）物理行為特性的參數(shù)。它還提供了一個(gè)典型的激勵(lì)和信號(hào)調(diào)理電路，利用該電路可演示RTD模型的行為。
2023-10-18
-
碳化硅將推動(dòng)車(chē)載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展
雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動(dòng)力、純電動(dòng)等各種形式的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 正被越來(lái)越多的人所接受。汽車(chē)制造商繼續(xù)努力提高電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程并縮短充電時(shí)間，以克服這個(gè)影響采用率的重要障礙。電動(dòng)汽車(chē)的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由于高功率充電站數(shù)量有限，相當(dāng)一部分車(chē)主仍然需要依賴(lài)車(chē)載充電器 (OBC) 來(lái)為電動(dòng)汽車(chē)充電。為了提高車(chē)載充電器的性能，汽車(chē)制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技術(shù)。這篇技術(shù)文章將探討車(chē)載充電器的重要性，以及半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)進(jìn)步如何推動(dòng)車(chē)載充電器的性能提升到全新水平。
2023-10-18
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺(tái)終結(jié)工業(yè)控制“碎片化”困局
- 安勤雙劍出鞘：HPS-ERSU4A工作站+MAB-T660邊緣AI重塑精準(zhǔn)醫(yī)療
- 【工程師必看】貿(mào)澤上新：三分鐘搞定FTTH終端的光纖快速接頭方案
- 顛覆UWB設(shè)計(jì)！Abracon沖壓金屬天線實(shí)現(xiàn)79ps時(shí)延精度
- 變壓器技術(shù)全景圖：從電磁感應(yīng)到平面革命
- 體積減半性能翻倍！Nexperia CFP15B封裝重塑功率晶體管天花板
- 國(guó)產(chǎn)突圍！谷泰微GT4321以250ps延遲刷新USB/音頻切換性能紀(jì)錄
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 變壓器技術(shù)全景圖：從電磁感應(yīng)到平面革命
- 國(guó)產(chǎn)MCUGD32E235如何破局家電變頻控制？全場(chǎng)景高能效方案拆解
- 厘米級(jí)世界鏡像：移動(dòng)測(cè)繪的技術(shù)突圍與場(chǎng)景革命
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
