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CS7123在電視盒中的應(yīng)用
CS7123芯片是深圳市芯?？萍加邢薰咀灾髟O(shè)計(jì)的高速/高精度視頻DAC芯片，其內(nèi)部包括三路10位電流導(dǎo)引(Current Steering)結(jié)構(gòu)的DAC，最大采樣速度達(dá)到240MHz。CS7123結(jié)構(gòu)框圖見圖1，它包括三路高速、10位輸入的視頻DA轉(zhuǎn)換器、標(biāo)準(zhǔn)的TTL輸入和互補(bǔ)輸出高阻抗的模擬輸出電流源。它有三路獨(dú)立的10位輸入端口，可以在單電源5V下工作，也可以在單電源3.3V下工作。
2012-01-09
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LabMaster 10 Zi：力科推出60GHz實(shí)時(shí)帶寬示波器
力科公司近日宣布了使用在最新LabMaster 10 Zi系列示波器上的最高帶寬36GHz和最高采樣率80GS/s的芯片組技術(shù)。領(lǐng)先的芯片技術(shù)表示力科能夠提供遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于業(yè)內(nèi)其它示波器廠家能夠提供的專業(yè)技術(shù)能力。當(dāng)結(jié)合使用力科的數(shù)字帶寬交插復(fù)用(DBI)專利技術(shù)以及通道同步(ChannelSync)結(jié)構(gòu)專利技術(shù)時(shí)，力科能夠提供空前的帶寬密度——5倍于同類產(chǎn)品的通道數(shù)量、更高的基于芯片技術(shù)的帶寬、使用DBI技術(shù)則可達(dá)到近似兩倍的芯片級(jí)帶寬，而價(jià)格卻和性能相差甚遠(yuǎn)的產(chǎn)品相當(dāng)。
2012-01-06
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2020年墨西哥智能電網(wǎng)市場(chǎng)將累計(jì)達(dá)到83億美元
近期NortheastGroup公司發(fā)布了墨西哥2011～2020年智能電網(wǎng)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告顯示，墨西哥未來(lái)幾年智能電網(wǎng)將會(huì)得到極大地發(fā)展，得益于政府刺激性措施和強(qiáng)烈的市場(chǎng)需求，截至2020年墨西哥的智能電網(wǎng)市場(chǎng)將累計(jì)達(dá)到83億美元。在拉丁美洲地區(qū)，墨西哥在智能電網(wǎng)的潛力僅次于巴西。
2012-01-06
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新型無(wú)源無(wú)損軟開關(guān)Boost變換器的原理分析
對(duì)于PWM變換器，無(wú)源軟開關(guān)通過(guò)降低有源開關(guān)的di/dt和dv/dt來(lái)實(shí)現(xiàn)零電流導(dǎo)通和/或零電壓關(guān)斷，以減少開關(guān)損耗。本文對(duì)其中的一種合成新型軟開關(guān)Boost變換器的工作原理及參數(shù)選擇進(jìn)行了分析，給出理論波形和仿真波形，并對(duì)其進(jìn)行分析。
2012-01-05
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SIM卡連接器
用戶確認(rèn)模塊即SIM卡（Subscriber Identification Module Card）是GSM（Global System for Mobile communication ）數(shù)字移動(dòng)通信系統(tǒng)的手機(jī)（移動(dòng)臺(tái)）中的重要部份。
2012-01-03
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STW88N65M5：ST 推出MDmesh V功率MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場(chǎng) 上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標(biāo)提高23%以上，對(duì)于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費(fèi)電子電源和太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。
2011-12-30
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NTST30100CTG：安森美推出低正向壓降肖特基整流器用于筆記本適配器
安森美半導(dǎo)體(On semi)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)——NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG等系列，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護(hù)電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
2011-12-30
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2013年新能源車飆漲 BMS成關(guān)鍵
2012年臺(tái)北國(guó)際車展在歲末年初之際登場(chǎng)，綠能無(wú)疑是最大賣點(diǎn)，眾家廠商競(jìng)相率新能源車爭(zhēng)艷四方，以宣示進(jìn)軍新世代新能源車戰(zhàn)場(chǎng)決心。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估，全球電動(dòng)車市場(chǎng)將隨鋰電池質(zhì)量與充電站建置逐漸完備，于2013年邁入成長(zhǎng)爆發(fā)期，至2015年前每年以超過(guò)三成的幅度增長(zhǎng)，至2020年出貨量可望達(dá)830萬(wàn)輛，占全球汽車市場(chǎng)10%。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員雷德灝表示，由于國(guó)外電動(dòng)車起火事件頻傳，導(dǎo)致大眾對(duì)電動(dòng)車產(chǎn)生安全疑慮，因此欲使電動(dòng)車迅速普及，必須提升電池續(xù)航力與安全性，而電池管理系統(tǒng)（Battery Management Systems；BMS）技術(shù)能否適時(shí)發(fā)揮功用更是關(guān)鍵。因此，電池管理系統(tǒng)市場(chǎng)產(chǎn)值，也將隨電動(dòng)車市場(chǎng)擴(kuò)大而受益，2013年預(yù)計(jì)大幅增長(zhǎng)，市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)13.29億美元，成長(zhǎng)幅度為25%。
2011-12-30
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意法半導(dǎo)體（ST）鞏固在能效功率控制市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標(biāo)提高23%以上，對(duì)于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費(fèi)電子電源和太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。
2011-12-29
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SEMI：2015年半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)將達(dá)257億美元
SEMI與TechSearch International共同出版的全球半導(dǎo)體封裝材料展望中顯示，2011年包括熱接口材料在內(nèi)的全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)總值將達(dá)228億美元，2015年將進(jìn)一步成長(zhǎng)至257億美元。其中層壓基板(laminate Substrates)仍占最大比例，2011年總額預(yù)計(jì)為97億美元，以單位數(shù)量來(lái)看，未來(lái)5年的年復(fù)合成長(zhǎng)率將超過(guò)8%。
2011-12-29
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凌力爾特收購(gòu)Dust Networks提供完整無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)解決方案
凌力爾特公司 (Linear)宣布收購(gòu)領(lǐng)先的低功率無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò) (WSN) 技術(shù)供應(yīng)商 Dust Networks 公司。Dust Networks 位于加州海沃德 (Hayward, CA)，此次收購(gòu)將使凌力爾特能夠提供完整的高性能無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)解決方案。Dust Networks 公司的低功耗無(wú)線電和軟件技術(shù)補(bǔ)充了凌力爾特在工業(yè)設(shè)備、電源管理和能量收集技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。
2011-12-27
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DC/DC電源技術(shù)研究
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場(chǎng)合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術(shù)要求為：電壓響應(yīng)時(shí)間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實(shí)現(xiàn)4個(gè)象限的運(yùn)行。針對(duì)此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對(duì)于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個(gè)橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動(dòng)帶來(lái)很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實(shí)際電壓只有50V 的情況下，對(duì)功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費(fèi)。因此，提出采用多米諾結(jié)構(gòu)的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術(shù)思路。
2011-12-27
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
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