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安森美公布2025年第二季度財報
安森美（onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON）公布其2025年第二季度財務業(yè)績。
2025-08-05
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安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
安森美（onsemi）與驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)舍弗勒（Schaeffler）進一步深化技術(shù)合作，雙方在最新中標項目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列。該方案將應用于舍弗勒主驅(qū)逆變器，為全球知名汽車制造商的先進插電式混合動力電動汽車（PHEV）平臺提供核心動力支持。此次合作標志著碳化硅技術(shù)在新能源車載系統(tǒng)中的關(guān)鍵落地，助力PHEV性能與能效雙重升級。
2025-08-01
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安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
安森美（onsemi）與英偉達（NVIDIA）達成戰(zhàn)略合作，共同推進800V直流（VDC）供電架構(gòu)在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應用。這一創(chuàng)新方案將助力下一代AI數(shù)據(jù)中心在能效、功率密度及環(huán)境可持續(xù)性方面實現(xiàn)突破性提升，加速行業(yè)向高密度、低能耗的計算基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型。
2025-08-01
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毫米級電源革命：三款旗艦LDO如何重塑終端供電格局？
在智能終端向微型化、高集成度加速演進的浪潮中，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）作為電源管理的核心組件，正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)變革?？臻g利用率、靜態(tài)功耗、低壓輸入能力已成為衡量LDO性能的關(guān)鍵維度，直接決定著終端設(shè)備的續(xù)航能力、功能擴展?jié)摿εc可靠性表現(xiàn)。本文聚焦艾為電子AW37334YXXXFOR、德州儀器（TI）TPS7A02及安森美（Onsemi）NCP110三款代表不同技術(shù)路線的LDO產(chǎn)品，通過深度解析其設(shè)計理念與性能差異，為工程師在可穿戴設(shè)備、醫(yī)療電子、物聯(lián)網(wǎng)終端等場景的選型提供專業(yè)參考。
2025-07-23
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安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數(shù)級能耗增長，全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術(shù)的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網(wǎng)接入到芯片供電的完整能效優(yōu)化路徑。
2025-06-25
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挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺的創(chuàng)新設(shè)計證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導’為結(jié)溫危機，并拆解工業(yè)級解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
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拓撲優(yōu)化：解鎖電池供電設(shè)備高效設(shè)計密碼
隨著電池供電設(shè)備變得越來越普及，快速充電對于提升此類設(shè)備的便利性至關(guān)重要。本文討論了設(shè)計高效電池充電系統(tǒng)時必須考慮的標準，介紹了較為常用的拓撲，并闡述了安森美 (onsemi) 的功率半導體如何助力實現(xiàn)高性能方案。
2025-05-23
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構(gòu)，更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設(shè)計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實踐應用的完整技術(shù)指引。
2025-04-08
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安森美攜新款智能圖像感知方案亮相Vision China（上海）2025
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON) 將攜新款圖像感知技術(shù)及方案亮相于3月26 - 28日在上海新國際博覽中心舉辦的中國（上海）機器視覺展暨機器視覺技術(shù)及工業(yè)應用研討會 (Vision China 2025)，展位號為W4-No.4317。
2025-03-20
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關(guān)的工作負載日益復雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實用的設(shè)計指導原則。接下來，文章將進一步闡述在并聯(lián)應用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計。
2025-03-06
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安森美與電裝（DENSO）加強合作關(guān)系
安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）和一級汽車供應商（tier-one）株式會社電裝（DENSO CORPORATION，以下簡稱“電裝”）宣布加強在自動駕駛（AD）和先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）技術(shù)方面的長期合作關(guān)系。
2024-12-19
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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