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1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機驅(qū)動、電動汽車及可再生能源系統(tǒng)的隱形戰(zhàn)場——輔助電源系統(tǒng)中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業(yè)痛點：在確保多源采購靈活性的前提下，同步實現(xiàn)系統(tǒng)尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
Wolfspeed 碳化硅 1700V SiC MOSFET 輔助電源 電機驅(qū)動供電方案 EV充電器待機電源 多源采購策略
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重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-07-02
意法半導(dǎo)體 財報 電話會議時間
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超級電容技術(shù)全景解析：從物理原理到選型實踐，解鎖高功率儲能新紀(jì)元
超級電容器（又稱雙電層電容器，EDLC）是一種通過電極與電解液界面形成的雙電層效應(yīng)存儲電能的新型儲能器件。與傳統(tǒng)電容器不同，超級電容利用多孔碳電極表面形成的納米級雙電層結(jié)構(gòu)（ Helmholtz層），在電極/電解液界面實現(xiàn)電荷分離存儲能量。這種物理儲能機制使其無需化學(xué)反應(yīng)即可實現(xiàn)能量的快速存...
2025-07-02
超級電容 雙電層電容器
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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術(shù)解密
在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）驅(qū)動的ns級開關(guān)場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產(chǎn)生＞38%電壓過沖，導(dǎo)致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數(shù)據(jù)），嚴(yán)重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±...
2025-07-01
分流電阻 寄生電感補償 高頻電流測量技術(shù) VNA頻響 RC濾波器設(shè)計 功率器件 電流檢測 開關(guān)電源
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告別電壓應(yīng)力難題：有源鉗位助力PSFB效率突破
相移全橋（PSFB）轉(zhuǎn)換器因其能在初級側(cè)開關(guān)管上實現(xiàn)軟開關(guān)（降低開關(guān)損耗），成為高功率應(yīng)用（如服務(wù)器電源、工業(yè)電源、通信電源）的主流拓撲。然而，傳統(tǒng)的PSFB存在一個顯著痛點：變壓器漏感（Lr）與輸出整流器（特別是同步整流管MOSFET）的寄生電容（Coss）諧振，會導(dǎo)致次級側(cè)產(chǎn)生嚴(yán)重的電壓振鈴...
2025-07-01
PSFB有源鉗位設(shè)計 整流器電壓應(yīng)力優(yōu)化 高功率轉(zhuǎn)換器效率 同步整流MOSFET選型 無損緩沖技術(shù) 相移全橋控制策略
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DigiKey B站頻道火出圈：粉絲破10萬大關(guān)，好禮送不停
全球電子元器件分銷巨頭DigiKey宣布其B站官方頻道粉絲量突破10 萬大關(guān)，成為電子元器件領(lǐng)域關(guān)注度最高的企業(yè)賬號。為慶祝這一里程碑，DigiKey將面向平臺粉絲發(fā)起互動活動，抽取20位參與者贈送專屬技術(shù)禮包。
2025-07-01
DigiKey 得捷電子 B站官方號 B站粉絲活動 工程師福利
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
在高速視覺應(yīng)用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠遠不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權(quán)衡光學(xué)格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）...
2025-07-01
安森美 圖像傳感器 全局快門 CMOS CMOS圖像傳感器 高速圖像傳感器
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