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『這個知識不太冷』探索5G射頻技術(shù)（上）
『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。接下來，我們談一談5G射頻。
2023-11-12
5G 射頻技術(shù)
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專用 DC／DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)對鐵路供電的獨特挑戰(zhàn)
現(xiàn)代鐵路系統(tǒng)中的車載電子設(shè)備越來越多，例如乘客互聯(lián)網(wǎng)接入點、衛(wèi)星鏈路、對講機和公共廣播 (PA) 系統(tǒng)、導(dǎo)航子系統(tǒng)、應(yīng)急無線電設(shè)備、告示牌、LED 照明系統(tǒng)、信息系統(tǒng)、座椅充電插座和其他配件。另外還有電池充電子系統(tǒng)，因為在瞬時斷電或長時間斷電時，很多功能還需要供電。所有這些功能都有獨特...
2023-11-12
DC／DC 轉(zhuǎn)換器 鐵路供電
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讓電動汽車延長5%里程的SiC主驅(qū)逆變器
本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續(xù)航里程延長多達 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時提升 OEM 對這種成...
2023-11-12
SiC 逆變器 電動汽車
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能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
IGBT模塊 馬達驅(qū)動 應(yīng)用
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專為智能汽車車身域打造的直流有刷柵極驅(qū)動IC
TMI8721-Q1是一顆驅(qū)動外部4個N溝通MOSFET的單通道全橋柵極驅(qū)動芯片。優(yōu)秀的驅(qū)動能力，使其可驅(qū)動大部分MOSFET，特別適用于汽車座椅自動調(diào)節(jié)，后尾門撐桿，玻璃升降、天窗、遮陽簾、門窗、方向盤調(diào)節(jié)、側(cè)滑門、電動踏板等電流偏大的場合。
2023-11-12
智能汽車 車身域 柵極驅(qū)動
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通態(tài)漏源電阻
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