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尋找傳感器界的“隱形王者”！維科杯·OFweek 2025年度評(píng)選等你來(lái)戰(zhàn)
在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、自動(dòng)駕駛、智慧醫(yī)療等產(chǎn)業(yè)的蓬勃驅(qū)動(dòng)下，傳感器站上全球科技競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略高地——市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TMR預(yù)測(cè)，2021至2031年全球智能傳感器市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)18.2%。國(guó)內(nèi)也不斷從戰(zhàn)略高度上加大布局和規(guī)劃，從科技部設(shè)立"智能傳感器"重點(diǎn)專項(xiàng)，到工信部推出物聯(lián)網(wǎng)新基建行動(dòng)計(jì)劃，政策...
2025-05-16
傳感器 維科杯 OFweek
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厚膜電阻在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的關(guān)鍵應(yīng)用與技術(shù)突破
隨著5G通信技術(shù)的商用化進(jìn)程加速，通信基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)元器件的性能要求日益嚴(yán)苛。厚膜電阻憑借其優(yōu)異的高頻特性、精密控制能力和環(huán)境適應(yīng)性，在5G基站電源、光模塊驅(qū)動(dòng)等核心場(chǎng)景中扮演著不可替代的角色。本文以Yageo RC系列和BOURNS 3590S系列為例，深入剖析其在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的技術(shù)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用價(jià)值。
2025-05-16
厚膜電阻 通信基礎(chǔ)設(shè)施
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碳膜電位器技術(shù)解析：從原理到選型與頭部廠商對(duì)比
碳膜電位器作為電子元器件領(lǐng)域的基礎(chǔ)元件，自20世紀(jì)50年代商業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)和成本競(jìng)爭(zhēng)力，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等領(lǐng)域形成廣泛應(yīng)用。本文系統(tǒng)梳理碳膜電位器的技術(shù)特性、產(chǎn)業(yè)格局及選型要點(diǎn)，通過(guò)國(guó)際與國(guó)內(nèi)廠商的對(duì)比分析，為工程師提供完整的選型解決方案。
2025-05-16
碳膜電位器
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貿(mào)澤電子聯(lián)合ADI與Samtec發(fā)布工業(yè)AI/ML電子書(shū)：探索工業(yè)自動(dòng)化未來(lái)
業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子宣布與ADI和Samtec合作推出全新電子書(shū)《9 Experts Discuss Robotics, AI, and ML in Industrial Applications》（9位專家探討工業(yè)應(yīng)用中的機(jī)器人、AI和ML），探討機(jī)器人、人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 如何改變制造業(yè)、物流業(yè)等領(lǐng)域的格局。通過(guò)精密運(yùn)動(dòng)控...
2025-05-16
貿(mào)澤電子 ADI Samtec 機(jī)器人 AI ML領(lǐng)域
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毫米波雷達(dá)突破醫(yī)療監(jiān)測(cè)痛點(diǎn)：非接觸式生命體征傳感器破解臨床難題
傳統(tǒng)生命體征監(jiān)測(cè)依賴電極貼片、血氧夾等有線接觸式設(shè)備，對(duì)新生兒、燒傷患者或癲癇患者等特殊群體存在接觸限制與移動(dòng)監(jiān)測(cè)盲區(qū)。毫米波雷達(dá)傳感器通過(guò)非接觸式探測(cè)技術(shù)，實(shí)時(shí)捕捉心率、呼吸頻率等關(guān)鍵指標(biāo)，穿透衣物/被褥實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)，支持居家多患者同步追蹤。其抗干擾能力與隱私保護(hù)特性，為行動(dòng)...
2025-05-15
毫米波雷達(dá)傳感器 非接觸式 生命體征 傳感器
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工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)
MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開(kāi)路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，無(wú)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱...
2025-05-15
MOSFET 選型 應(yīng)用實(shí)戰(zhàn) 熱管理
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線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實(shí)踐
線繞電阻憑借超低溫度系數(shù)（±5ppm/℃以下）、長(zhǎng)期穩(wěn)定性（年漂移率<0.005%）及無(wú)感繞制技術(shù)，成為精密測(cè)量與醫(yī)療設(shè)備中校準(zhǔn)、補(bǔ)償及能量控制的核心元件。本文以實(shí)驗(yàn)室基準(zhǔn)電阻、高精度傳感器補(bǔ)償、MRI梯度線圈驅(qū)動(dòng)及高頻電刀功率調(diào)節(jié)為切入點(diǎn)，解析其技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑與工程價(jià)值。
2025-05-15
線繞電阻 精密儀器 醫(yī)療設(shè)備
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