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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱(chēng)，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買(mǎi)1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
2010-04-16
節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
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新一代低VCEsat雙極晶體管
近年來(lái)，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類(lèi)器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現(xiàn)出雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了開(kāi)關(guān)損耗更小，效率更高的同時(shí)，也贏得了更多的市場(chǎng)空間。
2010-04-16
雙極晶體管 SMD BISS 4
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2011年電路保護(hù)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)
2011年，市場(chǎng)預(yù)測(cè)預(yù)測(cè)表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機(jī)和汽車(chē)電子市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過(guò)流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場(chǎng)重心將偏向汽車(chē)和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價(jià)值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過(guò)流保護(hù) 過(guò)壓保護(hù) 電路保護(hù)
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亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
有力推動(dòng)我國(guó)電子生產(chǎn)行業(yè)制造水平亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
2010-04-16
亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
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不斷挑戰(zhàn)小型化，大河晶振以新的靈感創(chuàng)造最先進(jìn)的產(chǎn)品
世間的流水滋潤(rùn)著人們的生活，雖然江河日復(fù)一日的在流淌，然而每天流著不同的水。大河晶振也猶如匯入江河的源頭活水，不斷以新的靈感創(chuàng)造著最先進(jìn)的產(chǎn)品。2010年4月9日，電子元件技術(shù)網(wǎng)記者在深圳會(huì)展中心第75界中國(guó)電子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上現(xiàn)場(chǎng)采訪了西安大河晶振科技有限公...
2010-04-16
挑戰(zhàn)小型化 大河晶振 先進(jìn)的產(chǎn)品 SZ2010
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門(mén)中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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