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技術(shù)文章

OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器

德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。

2009-12-21

OPA653 OPA659 TI JFET 放大器

電子元器件業(yè)景氣期將至相關(guān)公司擴(kuò)張產(chǎn)能

電子元器件類上市公司近期的擴(kuò)張產(chǎn)能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項(xiàng)目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項(xiàng)目，總投資為2億元。

2009-12-21

電子元器件景氣期將至公司擴(kuò)張半導(dǎo)體

DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期

測量DDR2存儲設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。

2009-12-18

DDR測試力科 WaveScan 分離讀寫周期

DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例

SDRAM時鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時鐘驅(qū)動能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測量內(nèi)存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測量波形，需要使用高帶...

2009-12-18

DDR 測試 SDRAM 時鐘分析

AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應(yīng)用優(yōu)化的高電流電源開關(guān)

Diodes針對高電流應(yīng)用推出兩款新器件以擴(kuò)展旗下AP21XX電源開關(guān)產(chǎn)品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流，且經(jīng)過優(yōu)化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應(yīng)用。

2009-12-18

AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開關(guān)

東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件

東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。

2009-12-18

東大晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項(xiàng)目硅

工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染

日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。

2009-12-18

工信部電子產(chǎn)品污染環(huán)保

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