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電感器：市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)改變行業(yè)格局
我國(guó)已基本建立起一個(gè)傳統(tǒng)與新型產(chǎn)品兼顧的電感器產(chǎn)業(yè)，并具有相當(dāng)經(jīng)濟(jì)規(guī)模，在國(guó)際市場(chǎng)上占據(jù)了一定地位。但我國(guó)電感器件產(chǎn)業(yè)大而不強(qiáng)，新型片式電感器件所占的份額較小，因此我們要狠抓技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)和優(yōu)化產(chǎn)品出口結(jié)構(gòu)這三個(gè)環(huán)節(jié)，推動(dòng)我國(guó)電感器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2008-12-24
電感 磁珠 LTCC 風(fēng)華高科 順絡(luò) TDK 村田
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愛普科斯MLCC家族添新丁，防靜電版本誕生
愛普科斯新型E系列多層陶瓷電容器為高度堅(jiān)固元件，采用X7R材料制作而成，其抗靜電放電脈沖能力與標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)相比更加卓越。
2008-12-24
MLCC 靜電保護(hù) ESD AEC-Q200
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
Si7633DP Si7135DP MOSFET 超低導(dǎo)通電阻
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SML-L1/SML-J1系列：ROHM自動(dòng)對(duì)焦用高亮度LED
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社最近為滿足強(qiáng)烈要求小型、薄型化的數(shù)碼相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)市場(chǎng)的需要，開發(fā)出自動(dòng)對(duì)焦輔助光用的大輸出功率表面貼裝透鏡LED SML-L1系列(側(cè)視型) 和SML-J1系列(頂視型)。
2008-12-24
自動(dòng)對(duì)焦 表面貼裝透鏡LED LED SML-L1 SML-J1
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愛普科斯與New Scale合作開發(fā)微型直線電機(jī)
電子元件及模塊和系統(tǒng)生產(chǎn)商愛普科斯公司與超小型運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)制造商N(yùn)ewScaleTechnologies,Inc.(以下簡(jiǎn)稱NewScale)達(dá)成了一項(xiàng)科技合作協(xié)議，旨在開發(fā)獨(dú)創(chuàng)性超聲波電機(jī)。此次合作結(jié)合了NewScale在開發(fā)微型壓電式電機(jī)方面的先進(jìn)技術(shù)與愛普科斯在生產(chǎn)多層壓電元件的能力
2008-12-24
愛普科斯 直線電機(jī) NewScale 多層壓電
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MEMS和石英技術(shù)爭(zhēng)奪振蕩器市場(chǎng)
——訪SiTime公司副總裁Piyush Sevalia先生據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))振蕩器正以120%的年增長(zhǎng)率（在某些地方是該增長(zhǎng)率的四倍）逐漸取代石英晶體振蕩器。與石英晶體相比，MEMS振蕩器的封裝很小，而且價(jià)格相對(duì)更實(shí)惠，因此更適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品。 筆者在美國(guó)硅谷采訪了MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))振蕩器領(lǐng)先供應(yīng)商SiTime公司副總裁Piyush ...
2008-12-23
MEMS振蕩器 石英晶振 精度 Sitime 供貨周期 頻率 抖動(dòng) 擴(kuò)頻
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FOD3120/50：飛兆最佳抗噪性能的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出兩款柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器FOD3120 和 FOD3150，為光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)加熱應(yīng)用帶來(lái)同級(jí)最佳共模抑制(common mode rejection, CMR)。
2008-12-23
FOD3120 FOD3150 濾波器 光電耦合器 共模抑制 CMR IGBT MOSFET
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