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差分信號線布線的優(yōu)點和布線策略
布線非?？拷牟罘中盘枌ο嗷ブg也會互相緊密耦合，這種互相之間的耦合會減小EMI發(fā)射，差分信號線的主要缺點是增加了PCB的面積，本文介紹電路板設計過程中采用差分信號線布線的布線策略。
2010-06-23
差分信號線 布線 PCB 高速設計
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多晶硅錠制造技術
用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個相當復雜的工藝。硅錠生長工藝的目標在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長工藝需要進行嚴格監(jiān)控，并需對定向凝固爐在結晶工藝期間的無數(shù)種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術
2010-06-23
多晶硅錠 凝固工藝 線切割 凝固爐
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新材料對測量技術的挑戰(zhàn)
在談及芯片技術進步時，除了不斷縮小的技術節(jié)點，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談論較多的是高k介質、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。越是新興的物質越難以捉摸和測量，這就要求測量技術能夠“與時俱進”。本文對新材料...
2010-06-23
新材料 測量技術 3D集成 硅通孔技術
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日置即將推出最新IM3570阻抗分析儀
即將發(fā)售的阻抗分析儀IM3570是測量頻率4Hz~5MHz，測試電平5mV~5V的LCR電橋與阻抗分析儀合二為一的儀器。因為對應不同測量條件都能高速連續(xù)測量，所以在需要使用眾多儀器檢查的生產(chǎn)線上，僅IM3570一臺便可實現(xiàn)。
2010-06-23
日置 IM3570 阻抗分析儀
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半導體制造晶圓檢測技術分析
半導體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總缺陷密度。本文介紹晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術研究
隨著半導體制造技術推進到更加先進的深亞微米技術，半導體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術制作而成，例如BBIC采用CMOS技術、收發(fā)機采用SiGe和BiCMOS技術、RF開關采用GaAs技術等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術的限制，因此不能有效利用上述各項技術的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術
ALD技術的獨特性決定了其在半導體工業(yè)中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導致的介質薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學極限，同時高縱寬比在器件結構中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術很難滿足需求，ALD技術已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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3D與電腦融合 平板混戰(zhàn)即將拉開
隨著電視機廠商高歌挺進3D后，眾多PC廠商也開始舉行3D電腦、3D顯示器的大旗。廠商表示，PC未來是光明的，更是3D的。目前，融合3D技術的電腦產(chǎn)品也陸續(xù)登場，不過，3D電腦還未能現(xiàn)實裸視。
2010-06-22
3D 電腦 平板 PC
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