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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。
2023-02-09
SiC 組串式 逆變器
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滿足電子化需求的汽車應(yīng)用解決方案
隨著汽車朝向電子化發(fā)展，無論是傳統(tǒng)燃油車還是混合／純電動(dòng)車，都使用越來越多的電子零部件，使得汽車應(yīng)用市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，也為電子產(chǎn)業(yè)帶來龐大的商機(jī)。本文將為您簡(jiǎn)介汽車應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展，以及由Nexperia所推出的解決方案。
2023-02-08
電子化 汽車 解決方案
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數(shù)字控制讓雙向電源轉(zhuǎn)換易如反掌
傳統(tǒng)的電源都是采用模擬方式控制，而近些年出現(xiàn)的數(shù)字電源則是以數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）或微控制器（MCU）為控制核心來實(shí)現(xiàn)控制、管理和監(jiān)測(cè)功能的電源產(chǎn)品。
2023-02-08
數(shù)字控制 雙向電源
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如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗
現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對(duì)工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)...
2023-02-07
IGBT 損耗
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如何給核心板的底板設(shè)計(jì)電源？
在選型某一款核心板后，硬件工程師將會(huì)針對(duì)自己的產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計(jì)底板，除了外設(shè)的功能電路外，底板電源設(shè)計(jì)也是一款產(chǎn)品好壞的關(guān)鍵。結(jié)合ZLG致遠(yuǎn)電子的核心板產(chǎn)品，本文將對(duì)底板的電源設(shè)計(jì)提供一些方法及參考。
2023-02-07
核心板 底板 電源
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滿足嚴(yán)格效率和性能規(guī)格且尺寸要小的電源，需要搭配什么樣的控制器？
高性能通信、服務(wù)器和計(jì)算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時(shí)候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對(duì)較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈...
2023-02-06
電源 控制器
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，F(xiàn)eRAM發(fā)力智能物聯(lián)時(shí)代增量市場(chǎng)
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動(dòng)下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時(shí)代，存儲(chǔ)器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì)，自2019年以來，存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場(chǎng)空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細(xì)分市場(chǎng)中，以FeRAM（鐵電存儲(chǔ)）和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽車 FeRAM
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碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢(shì)
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