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從失效案例逆推：獨(dú)石電容壽命計(jì)算與選型避坑指南
在新能源汽車電機(jī)控制器中，因獨(dú)石電容（MLCC）壽命估算偏差導(dǎo)致的批次召回事件屢見(jiàn)不鮮——某車企因未考慮電壓波動(dòng)影響，實(shí)測(cè)電容壽命僅為理論值的30%，最終付出1.2億元代價(jià)。MLCC的壽命不僅關(guān)乎電子系統(tǒng)的可靠性，更直接影響企業(yè)的質(zhì)量成本。本文通過(guò)拆解溫度、電壓、濕度三大力學(xué)模型，結(jié)合車規(guī)、...
2025-06-13
獨(dú)石電容壽命計(jì)算 高溫老化測(cè)試
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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運(yùn)行。Ionautics 成立于 2010 年，長(zhǎng)期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域， HiPSTER 25提供高達(dá) 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運(yùn)行模式，還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
瑞典 Ionautics
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獨(dú)石電容技術(shù)全景解析——從成本到選型的工程實(shí)踐指南
獨(dú)石電容（多層陶瓷電容，MLCC）作為電子系統(tǒng)的“血液”，承擔(dān)著濾波、儲(chǔ)能、耦合等關(guān)鍵功能。2025年全球MLCC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破180億美元，其中新能源汽車與5G基站貢獻(xiàn)35%的需求增長(zhǎng)。面對(duì)村田、三星電機(jī)等國(guó)際巨頭，以及風(fēng)華高科、宇陽(yáng)科技等國(guó)內(nèi)廠商的競(jìng)逐，工程師如何權(quán)衡性能、成本與供應(yīng)鏈穩(wěn)定性...
2025-06-12
獨(dú)石電容 獨(dú)石電容選型 MLCC成本對(duì)比 車規(guī)級(jí)電容
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電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)必讀——基準(zhǔn)電壓源選型指南
隨著電子系統(tǒng)智能化需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，基準(zhǔn)電壓源作為信號(hào)鏈的“標(biāo)尺”，其精度直接影響整個(gè)系統(tǒng)的測(cè)量與控制能力。2025年全球基準(zhǔn)電壓芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破38億美元，其中汽車電子與工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域占比超60%。然而，面對(duì)齊納二極管、帶隙基準(zhǔn)等多元技術(shù)路線，以及初始精度、溫漂、噪聲等關(guān)鍵參數(shù)，設(shè)...
2025-06-12
電子系統(tǒng) 基準(zhǔn)電壓源 基準(zhǔn)電壓源選型 電壓基準(zhǔn)精度
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基于龍芯1D的智能水表，無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)+NB-IoT遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)技術(shù)解析
隨著智慧城市和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)機(jī)械水表因計(jì)量精度低、機(jī)械磨損嚴(yán)重、維護(hù)成本高等問(wèn)題逐漸被淘汰?；邶埿?D超聲波水表方案應(yīng)運(yùn)而生，依托龍芯自主設(shè)計(jì)研發(fā)的專用SOC芯片LS1D，采用超聲波傳播時(shí)差檢測(cè)原理，實(shí)現(xiàn)水流量的高精度測(cè)量。該方案摒棄機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件，計(jì)量性能長(zhǎng)期穩(wěn)定，集成NB...
2025-06-12
龍芯1D超聲波水表 超聲波水表方案 NB-IoT水表遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè) 國(guó)產(chǎn)化SOC芯片應(yīng)用
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工程師必看：晶振起振檢測(cè)全攻略
晶振（晶體振蕩器）是電子設(shè)備的“心臟”，為微控制器、通信模塊和時(shí)鐘電路提供精準(zhǔn)的時(shí)序基準(zhǔn)。然而，晶振一旦未正常起振，可能導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法啟動(dòng)、通信異常甚至功能癱瘓。本文將深入解析晶振起振的原理、常見(jiàn)故障原因，并基于工程實(shí)踐，系統(tǒng)性介紹示波器檢測(cè)法、萬(wàn)用表輔助判斷法、替換法、信號(hào)注入...
2025-06-12
工程師必看：晶振起振檢測(cè)全攻略
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安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。
2025-06-12
安森美SiC Cascode FET 共源共柵結(jié)構(gòu) 碳化硅功率器件
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