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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開(kāi)關(guān)
氮化鎵（GaN）單片雙向開(kāi)關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴(lài)體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門(mén)極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對(duì)背（B...
2025-05-11
氮化鎵 單片雙向開(kāi)關(guān) 功率器件
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BMS開(kāi)路檢測(cè)新突破：算法如何攻克電芯連接故障識(shí)別難題？
噪聲敏感器件的功耗不斷提高。醫(yī)療超聲成像系統(tǒng)、5G收發(fā)器和自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)等應(yīng)用需要在面積較小的PCB上實(shí)現(xiàn)高輸出電流(>5 A)、低噪聲水平和高帶寬。由于對(duì)輸出電流的需求較高，以前使用的傳統(tǒng)雙級(jí)（降壓+低壓差(LDO)穩(wěn)壓器）解決方案需要的PCB面積較大，導(dǎo)致功耗較高，因此不太受歡迎。
2025-05-11
BMS電路 電芯連接
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功率電阻從原理到選型的工程實(shí)踐指南
功率電阻是專(zhuān)用于高功率電路的能量耗散器件，其設(shè)計(jì)基準(zhǔn)以熱管理為核心。
2025-05-11
功率電阻
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薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
薄膜電阻（Thin Film Resistor）通過(guò)物理/化學(xué)氣相沉積（PVD/CVD）工藝，在陶瓷基板（Al?O?或AlN）表面形成納米級(jí)（50-250nm）金屬或合金薄膜（如NiCr、TaN）。
2025-05-10
薄膜電阻
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雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性
在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對(duì)表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲(chóng)保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本...
2025-05-10
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng) 動(dòng)態(tài)特征
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金屬膜電阻技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
金屬膜電阻（Metal Film Resistor）是在高純度陶瓷基板（通常為Al?O?）表面，通過(guò)真空沉積工藝形成鎳鉻合金（NiCr）或氮化鉭（TaN）薄膜，再經(jīng)激光微調(diào)達(dá)到目標(biāo)阻值的精密電阻器。
2025-05-09
金屬膜電阻
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一文讀懂運(yùn)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)邏輯
電動(dòng)驅(qū)動(dòng)器是一種通過(guò)控制設(shè)備來(lái)調(diào)節(jié)電動(dòng)機(jī)操作的系統(tǒng)。驅(qū)動(dòng)器的主要任務(wù)是管理電能（以及氣動(dòng)和氣動(dòng)）轉(zhuǎn)換為機(jī)械能（線性，旋轉(zhuǎn)，振蕩或其他類(lèi)型的運(yùn)動(dòng)），并針對(duì)特定應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它們由幾個(gè)組件組成，包括電動(dòng)機(jī)，伺服電動(dòng)機(jī)，步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，逆變器，傳感器和控制系統(tǒng)。
2025-05-09
運(yùn)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)器
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