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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時(shí)，功率MOSFET漏極的電流和...
2009-10-26
MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)
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通信系統(tǒng)中超高效率Buck變換器設(shè)計(jì)考慮
本文介紹了在通信系統(tǒng)中，同步Buck變換器上部功率MOSFET和下部功率MOSFET的工作特點(diǎn)，同時(shí)討論了在設(shè)計(jì)高效率的同步Buck變換器時(shí)，選取上部和下部功率MOSFET原則；介紹了一種新型的采用柵極屏蔽的功率MOSFET，極低的漏柵極米勒電容適合于上部功率MOSFET的應(yīng)用；還介紹了一種適合于下部功率MOSFET應(yīng)...
2009-10-26
Buck變換器 MOSFET
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EMC測(cè)試暗室介紹
在安規(guī)測(cè)試和各種認(rèn)證測(cè)試中電磁兼容的測(cè)試必不可少，這些認(rèn)證類的測(cè)試對(duì)測(cè)試的環(huán)境有嚴(yán)格的規(guī)定，只能在專門的實(shí)驗(yàn)機(jī)構(gòu)內(nèi)測(cè)試。本文主要講解測(cè)試必不可少的測(cè)試暗室，和各種測(cè)試的手段。
2009-10-26
EMC EMI 測(cè)試暗室
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磁珠及其在開關(guān)電源中的應(yīng)用
近年來，由于電磁兼容的迫切要求，鐵氧體磁珠得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是片式鐵氧體磁珠。在各種現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，為了達(dá)到電磁兼容的要求，幾乎都采用了這類元件。但值得注意的是，這類元件品種繁多，性能各異，不像阻容元件那樣的系列化、標(biāo)準(zhǔn)化，本文全面的須介紹各種鐵氧體磁珠的特性以及應(yīng)用
2009-10-26
磁珠 開關(guān)電源 電磁兼容
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降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時(shí)詳細(xì)地說明了這三種位置各自的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點(diǎn)電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關(guān)管導(dǎo)通電阻、低端同步開關(guān)管導(dǎo)通電阻，以及...
2009-10-26
降壓轉(zhuǎn)換器 峰值電流模式 谷點(diǎn)電流模式
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基于Buck變換器的LED驅(qū)動(dòng)器反饋環(huán)路設(shè)計(jì)及測(cè)試
本文討論了基于Buck變換器的LED驅(qū)動(dòng)器與常規(guī)的Buck變換器的設(shè)計(jì)差異，介紹了這種LED驅(qū)動(dòng)器高端電流取樣和低端電流取樣各自的優(yōu)缺點(diǎn)，然后闡述了AOZ0181的工作特性，同時(shí)介紹了AOZ0181反饋環(huán)路的設(shè)計(jì)過程。最后，分析了不能直接測(cè)量Buck型LED驅(qū)動(dòng)器增益裕量和相位裕量的原因，并給出了通過增加一個(gè)電...
2009-10-26
Buck變換器 LED 增益裕量 相位裕量 電壓跟隨器
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使用自鉗位MOSFET設(shè)計(jì)電動(dòng)工具控制器
本文介紹了電動(dòng)工具控制器的工作原理，詳細(xì)的分析了電動(dòng)工具中MOSFET的功率損耗以及線路引線電感對(duì)MOSFET開關(guān)波形的影響，同時(shí)，介紹了自鉗位MOSFET的工作特性以及在設(shè)計(jì)電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)注意的問題，并給出了使用自鉗位MOSFET設(shè)計(jì)的電動(dòng)工具控制器的工作波形和測(cè)試結(jié)果。
2009-10-26
電動(dòng)工具 自鉗位MOSFET 驅(qū)動(dòng)
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