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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？
如今，越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-20
氮化鎵 晶體管
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提升直流穩(wěn)壓電路的效率并降低噪聲
在高效率非常重要的場合，開關(guān)穩(wěn)壓器是電壓調(diào)節(jié)的理想選擇。但是，開關(guān)穩(wěn)壓器仍然會消耗一些能量，而且開關(guān)噪聲可能是一個挑戰(zhàn)。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實現(xiàn)效率的顯著提升和無噪聲運行。負載對電壓波動的承受能力越強，潛在效益越大。
2023-09-20
直流穩(wěn)壓電路 噪聲 效率
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
P7芯片 PrimePACK 功率密度
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LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢
本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時幾個不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。
2023-09-20
LDO穩(wěn)壓器 噪聲 趨勢
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非隔離式變換器電磁干擾（EMI）的分析與建模方法（下）
如果在設(shè)計初期沒有考慮電磁干擾(EMI)問題，那元件在最終設(shè)計階段將很難滿足 EMI 要求。對 EMI 進行建模與分析將幫助設(shè)計人員在設(shè)計之初即優(yōu)化 EMI 并預(yù)測 EMI 性能。
2023-09-20
變換器 電磁干擾 建模
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如何設(shè)計采用Sallen-Key濾波器的抗混疊架構(gòu)
此KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識）電路應(yīng)用筆記提供了解決特定設(shè)計挑戰(zhàn)的分步指南。對于給定的一組應(yīng)用電路要求，本文說明了如何利用通用公式應(yīng)對這些要求，并使它們輕松擴展到其他類似的應(yīng)用規(guī)格。
2023-09-20
Sallen-Key 濾波器 抗混疊架構(gòu)
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向連接器高頻高速輕薄化進階!——對話優(yōu)群科技
世界領(lǐng)先的電子制造設(shè)備展會——慕尼黑上海電子展在2023年7月11-13日于國家會展中心正式拉開帷幕, 各大連接器企業(yè)在展會中紛紛攜帶特色電子產(chǎn)品亮相。
2023-09-19
連接器 高頻 優(yōu)群科技
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